onsemi FGHL75T65MQDTx Trench-IGBTs

Der onsemi FGHL75T65MQDTx Trench-IGBT ist eine IGBT-Technologie der 4. Generation mit mittlerer Geschwindigkeit, die mit einer vollständigen Nennstromdiode bestückt ist. Die FGHL75T65MQDTx IGBTs werden bei einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 °C, einer Kollektor-zu Emitter-Spannung von 650 V und einem Kollektorstrom von 75 A betrieben. Diese IGBTs verfügen über einen positiven Temperaturkoeffizienten für einen einfachen Parallelbetrieb, eine hohe Strombelastbarkeit, eine weiche und optimierte Schaltung und eine strikte Parameterverteilung. Der FGHL75T65MQDT ist in einem TO247-3L-Gehäuse untergebracht und der FGHL75T65MQDTL4 IGBT ist in einem TO247-4L-Gehäuse untergebracht. Diese IGBTs eignen sich hervorragend für Applikationen in Solarwechselrichtern, USV, ESS, PFC und Wandlern.