onsemi NVT201xN0 M2-SiC-N-Kanal-MOSFETs
Die M2-SiC-N-Kanal-MOSFETs NVT201xN0 von onsemi bieten im Vergleich zur bestehenden Si-Technologie einen Betrieb bei höheren Spannungen, größere Temperaturbereiche und höhere Schaltfrequenzen. Diese MOSFETs bieten eine niedrige effektive Ausgangskapazität und eine extrem niedrige Gate-Ladung, was zu geringeren Schaltverlusten und höheren Schaltgeschwindigkeiten führt. Die SiC-N-Kanal-MOSFETs NVT201xN0 M2 von onsemi sind zu 100 % UIS-getestet und AEC-Q101-qualifiziert.
Merkmale
- Niedrige effektive Ausgangskapazität
- Extrem niedrige GATE elektrische Ladung
- Zu 100 % UIS-getestet
- Gemäß AEC-Q101 qualifiziert
- Halogenidfrei und RoHS-konform mit Ausnahme 7a, bleifrei 2LI (bei Zusammenschaltung auf zweiter Ebene)
Applikationen
- Ladegeräte für Fahrzeug und Bordnetz
- Fahrzeug-DC/DC-Wandler für Elektro- und Hybridfahrzeuge
- SMPS, Solarumrichter, UPS, Energiespeicher, Ladeinfrastrukturen für Elektrofahrzeuge
Technische Daten
- Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(on)]
- NVT2012N065M2: 18 mΩ (typ.) bei VGS = 18 V
- NVT2016N090M2: 23 mΩ (typ.) bei VGS = 18 V
- Drain-Source-Spannung (VDSS)
- NVT2012N065M2: 650 V
- NVT2016N090M2: 900 V
- Dauersenkenstrom (ID) (TC = +25 °C)
- NVT2012N065M2: 180 A
- NVT2016N090M2: 148 A
- Verlustleistung (PD) (TC = 25°C)
- NVT2012N065M2: 375 W
- NVT2016N090M2: 789 W
- Gepulster Drainstrom (IDM) (TC = +25 °C, tp = 100 µs)
- NVT2012N065M2: 482 A
- NVT2016N090M2: 424 A
- Eingangskapazität (CISS)
- NVT2012N065M2: 5.389 pF (VDS = 325 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
- NVT2016N090M2: 5.340 pF (VDS = 450 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
- Ausgangskapazität (COSS)
- NVT2012N065M2: 431 pF (VDS = 325 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
- NVT2016N090M2: 310 pF (VDS = 450 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
- Gesamte Gate-Ladung [QG(TOT)]
- NVT2012N065M2: 256 nC (VDS = 400 V, ID = 40 A, VGS = -5 V/+18 V)
- NVT2016N090M2: 250 nC (VDS = 425 V, ID = 60 A, VGS = -5 V/+18 V)
Schaltung und Markierungsdiagramme
Veröffentlichungsdatum: 2025-11-12
| Aktualisiert: 2026-04-21