onsemi NPN Bipolare Digitaltransistoren
Die NPN bipolaren Digitaltransistoren sind monolithische Vorspannungswiderstandsnetzwerke, die ausgelegt sind, ein einzelnes Gerät und sein externes Vorspannungswiderstandsnetzwerk zu ersetzen. Diese Vorspannungswiderstandstransistoren (BRTs) bestehen aus zwei Widerständen: einem reihengeschalteten Basiswiderstand (22 kΩ) und einem Basis-Emitter-Widerstand (47 kΩ). Der BRT eliminiert einzelne Bauelemente und integriert sie in ein einzelnes Gerät. Dieser BRT ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Der BRT ist bleifrei und halogenfrei/BFR-frei sowie RoHS-konform. Typische Applikationen umfassen Batterieschutz, DC/DC-Wandler, Ausgangstreiber und Hochgeschwindigkeitsschaltungen.
Merkmale
- Reduziert den Boardplatz
- Reduziert die Komponentenanzahl
- Vereinfacht das Schaltungsdesign
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
- Blei- und Halogen-/BFR-frei
- RoHS-konform
Applikationen
- Batterie-Verpolungsschutz
- DC/DC-Wandler-Ausgangstreiber
- Hochgeschwindigkeits-Schalten
Technische Daten
- Basiswiderstand von 22 kΩ und Basis-Emitter-Widerstand von 47 kΩ
- 100 mADC Kollektorstrom
- 8 VDC Eingangssperrspannung
- 40 VDC Eingangsdurchlassspannung
- 50 VDC Kollektorbasisspannung (VCBO) und Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO)
Pin-Anschlüsse
Weitere Ressourcen
Veröffentlichungsdatum: 2023-12-13
| Aktualisiert: 2026-06-17