onsemi NCP4306 Synchrongleichrichtungstreiber
onsemi NCP4306 Synchrongleichrichtungstreiber sind leistungsstarke sekundärseitige Bauteile, die zur Optimierung des Wirkungsgrads in Schaltnetzteilen (SNTs) konzipiert sind. Der NCP4306 von onsemi unterstützt dank der vielseitigen Steuerarchitektur und robusten Antriebsfunktion eine große Auswahl von Leistungswandler-Topologien (einschließlich DCM/CCM-Flyback, Quasi-Resonanz-Flyback, Durchlass- und Resonanz-LLC). Diese Bauteile ermöglichen eine genaue Nullstromerkennung auf der Sekundärseite und bieten eine extrem niedrige Abschaltverzögerung (typischerweise 15 ns), wodurch eine maximale MOSFET- Leitungszeit und ein verbesserter Wirkungsgrad erreicht werden. Die Kombination aus einstellbarer oder fester minimaler Ein- und Ausschaltzeit ermöglicht es Designern durch die PCB verursachtes Überschwingen und parasitäre Effekte zu minimieren und so einen stabilen, rauschfreien SR-Betrieb zu gewährleisten.
Zusätzliche Funktionen wie Selbstsynchronisation, ein robuster Strommess-Pin von bis zu 200 V, hohe Spitzenstromsenken-/quellenantriebsfunktion (7 A/2 A), automatischer Deaktivierungsmodus bei geringer Last und eine 5-V-Gate-Klemme für die GaN-Transistor-Kompatibilität machen den NCP4306 hervorragend geeignet für anspruchsvolle Applikationen mit hohem Wirkungsgrad. Typische Applikationen sind Notebook-Adapter, AC/DC-Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte und weitere SMPS-Designs, die eine Leistung mit einem Wirkungsgrad auf höchster Stufe erfordern.
Merkmale
- Eigenständige Steuerung von Synchrongleichrichtern in CCM-, DCM- und QR für Flyback- oder LLC-Applikationen
- Präzise Erkennung des Nullstroms auf der Sekundärseite
- Typische Abschaltverzögerung vom Strommesseingang zum Treiber von 15 ns
- Robuster Strommess-Pin (bis zu 200 V)
- Extrem schnelle (10,5 ns) Abschaltauslösungsschnittstelle/Deaktivierungseingang
- Einstellbare oder feste minimale EIN-Zeit
- Einstellbare oder feste minimale Ausschaltzeit mit Erkennung von Überschwingen
- Verbesserte robuste Selbstsynchronisationsfunktion
- Senken-/Quellspitzenstrom-Ansteuerfähigkeit von 7 A/2 A
- Betriebsspannungsbereich von bis zu V CC= 35 V
- Automatischer Deaktivierungsmodus für geringe Last
- Ansteuerfunktion von GaN-Transistor
- Niedriger Stromverbrauch beim Anlauf und Abschalten
- Bis zu 1 MHz maximale Betriebsfrequenz
- Gehäuseoptionen
- 4 mm x 4 mm DFN8
- 2,0 mm x 2,2 mm DFN8
- SOIC-8
- TSOP-6
- Bleifrei
Applikationen
- Notebook-Adapter
- AC/DC-Netzteile mit hoher Leistungsdichte (Handy-Ladegeräte)
- LCD-TVS
- Alle SMPS mit hohen Wirkungsgradanforderungen
Technische Daten
- Maximale Betriebsspannung: 35 V
- Versorgungsbereich
- 3,7 V bis 4,2 V V CCUVLO Anstiegsbereich
- 3.2 V bis 3.7V V CCUVLO Abstiegsbereich
- Typische V CC-UVLO-Hysterese von 0,5 V
- Maximaler Einschaltverzögerung von 80 μs
- Stromverbrauchsbereich: 2,2 mA bis 15 mA
- Maximaler Stromverbrauch unter UVLO: 60 μA
- Maximaler Stromverbrauch im deaktivierten Modus: 80 μA oder 100 μA
- Treiberausgang
- Maximale Anstiegszeit der Ausgangsspannung: 100 ns
- Maximale Ausgangsspannung der Abfallzeit: 45 ns
- Typischer Treiber-Quellenwiderstand: 2 Ω
- Typischer Treiber-Senkenwiderstand: 0,5 Ω
- Typischer Ausgangsspitzenquellenstrom: 2 A
- Typischer Ausgangsspitzensenkenstrom: 7 A
- Maximale Treiberimpulslänge: 4 ms (typisch)
- CS-Eingang
- Maximaler CS-Ableitstrom von 500 nA
- Typischer Schwellenspannungsbereich des dV/dt-Detektors von 0,5 V bis 3.0 V
- Schwellenwertbereich des dV/dt-Detektors: 13 ns bis 37 ns
- Genauigkeit des Ausnahmetimerverhältnisses:±15 %
- Eingang zur Deaktivierung des Triggers
- Mindest-Triggerimpulsdauer: 10 ns (max.)
- Schwellenspannungsbereich von 1,6 V bis 2,2 V
- Maximale Trigger-zu-DRV-Laufzeitverzögerungen: 16,5 ns
- Bereich von 30 ns bis 80 ns für die Auslösungs-Austastzeit nach einem DRV-Einschaltvorgang
- Verzögerung zum Deaktivierungs-Modusbereich: 75 µs bis 125 µs
- Maximaler Timer für Deaktivierungsvorgang: 3,0 µs
- Minimale Impulsdauer zum Deaktivieren des Modusendes: 200 ns (max.)
- Pull-Down-Strombereich: 7 µA bis 15 µA
- Maximale Übergangszeit: 10 µs
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +125 °C
- +150 °C maximale Sperrschichttemperatur
- Thermischer Widerstand von der Sperrschicht zur Luft
- 200 °C/W für SOIC-8
- 250 °C/W für TSOP-6
- 80 °C/W für 4 mm x 4 mm DFN8
- 85 °C/W für 2 mm x 2,2 mm DFN8
- ESD-Schutz
- 2.000 V Human Body Model (außer Pin CS)
- 600 V Human Body Model Pin CS
- 200 V Maschinenmodell
- Charged-Device-Model der Klasse C3
Interne Schaltungsarchitektur
Zugehörige Lösungen
onsemi Fairchild USB Typ-C Portfolio
Ersetzt nicht nur USB-Standards, sondern auch Thunderbolt und DisplayPorts.
Veröffentlichungsdatum: 2026-02-26
| Aktualisiert: 2026-03-13