onsemi NCP740 Hochspannungs-Linearregler
Die Hochspannungs-Linearregler NCP740 von onsemi sind so konzipiert, dass sie eine kompakte, robuste und energieeffiziente Lösung für die Regelung hoher Eingangsspannungen in Industrie-, Telekommunikations- und batteriebetriebenen Applikationen bieten. Die Baureihe NCP740 von onsemi unterstützt einen breiten Eingangsspannungsbereich von 3 V bis 85 V und liefert dabei einen Ausgangsstrom von bis zu 100 mA, wodurch sich die Regler gut für Systeme eignen, die von Hochspannungsschienen gespeist werden. Die Bauteile NCP740 sind sowohl in Versionen mit festem Ausgang (wie z. B. 3,3 V) als auch in einer Version mit einstellbarem Bereich von 1,2 V bis 20 V erhältlich. Die Baureihe hat eine hohen Ausgabegenauigkeit von ±0,5 % bei +25 °C.
Die Bauelemente zeichnen sich durch einen extrem niedrigen Ruhestrom (typischerweise 5 µA) aus, was dazu beiträgt, dass die Batterielaufzeit in Designs mit geringem Stromverbrauch verlängert wird. Außerdem arbeiten die Regler auch mit einem kleinen keramischen Ausgangskondensator von 1 µF stabil, was eine Reduzierung der PCB-Fläche und eine vereinfachte Konstruktion ermöglicht. Integrierte Schutzfunktionen (einschließlich thermischer Abschaltung, Strombegrenzung, Sanftanlauf zur Unterdrückung des Einschaltstroms und Unterspannungssperre [UVLO]) erhöhen die Systemzuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen.
Darüber hinaus bietet die Baureihe NCP740 von onsemi einen Power‑Good-(PG-)Ausgang mit einer vom Nutzerprogrammierbaren Verzögerung, die über einen externen Kondensator realisiert wird und die es Designer ermöglicht, nachgelagerte Schaltungen zuverlässig zu sequenzieren. Untergebracht in thermisch optimierten Gehäusen des Typs MSOP 8 EP und DFNW‑8 mit den Abmessungen 3 mm × 3 mm vereint die Baureihe NCP740 hohe Spannungsfestigkeit, geringen Stromverbrauch sowie umfassende Überwachungs- und Schutzfunktionen in einer kompakten, bleifreien Lösung, die sich für raue Umgebungen und beengte Platzverhältnisse eignet.
Merkmale
- Breiter Eingangsspannungsbereich von 3 V bis 85 V
- Ausgangsspannungsvarianten
- 3,3 V fest (andere Versionen auf Anfrage)
- Einstellbar von 1,2 V bis 20,0 V
- ± 0,5 % Genauigkeit bei TJ = +25 °C
- Sehr geringer Ruhestrom von 5 µA (typisch)
- Typischer Standby-Strom von 0,5 µA
- Stabil mit Keramik-Ausgangskondensator mit 1 µF
- Power-Good mit programmierbarer Verzögerung
- Thermische Abschaltung und Strombegrenzungsschutz
- Integrierte Soft-Start-Schaltung zur Unterdrückung des Einschaltstroms
- Ausgabe der aktiven Entladefunktionen
- Erhältlich in thermisch verbesserten MSOP8 EP- und DFNW8-Gehäusen mit 3 mm x 3 mm
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Telekommunikation
- Industrie
- Batterie- und Hochspannungsschienensensoren
- Alarmanlagen und Sicherheitssysteme
- Batteriebetriebene Handwerkzeuge
- Heimautomatisierung
- Smart Metering
- Haushaltsgeräte
Technische Daten
- Eingang-
- Betriebseingangsspannungsbereich von 3 V bis 85 V
- Eingangsspannungs-UVLO-Schwellwertbereich: 1,7 V bis 3,0 V
- Eingangsspannungs-UVLO-Hysteresebereich: 0,01 V bis 0,5 V
- Ausgang
- Genauigkeit der maximalen Ausgangsspannung: ±1,5 %
- Typische ADJ-Referenzspannung: 1,2 V
- ADJ-Eingangsstrom: ±100 nA
- Maximale Leitungsregelung VOUT: 0,2 %
- Maximale Lastregelung VOUT: 0,4 %
- Maximale Dropout-Spannung: 750 mV
- Bereich der Ausgangsstrombegrenzung: 110 mA bis 300 mA
- Kurzschlussstrombereich: 110 mA bis 300 mA
- Typischer Entladungswiderstand: 50 Ω
- Stromverbrauch
- Maximaler Deaktivierungsstrom: 5 µA
- Maximaler Ruhestrom: 15 µA
- Maximaler Erdstrom: 500 µA
- Aktivierungsschwellenwerte
- Aktivierungsspannungsschwelle: 0,3 V bis 1,2 V
- Aktivierungsspannungshysterese: 0,01 V bis 0,3 V
- Maximale Stromstärke des Aktivierungspins: 1 µA
- Typischer Bereich der Ausgangsrauschspannung: 83 µVRMS bis 130 µVRMS
- Überhitzungsschutz
- Typische Temperatur: +170 °C
- Typische Hysterese: +15 °C
- +150 °C maximale Sperrschichttemperatur
- Maximale Löttemperatur: +260 °C
- Thermische Eigenschaften
- Thermischer Widerstand von Übergang zu Luft: 35,4 °C/W (DFNW-8) oder 38,7 °C/W (MSOP-8)
- Thermischer Widerstand von Übergang zu Luft (Oberseite): 87,3 °C/W (DFNW-8) oder 102,0 °C/W (MSOP-8)
- Thermischer Widerstand von Übergang zu Luft (Unterseite): 10,3 °C/W (DFNW-8) oder 14,7 °C/W (MSOP-8)
- Thermischer Widerstand von Übergang zu Board (Oberseite): 10,1 °C/W (DFNW-8) oder 15,2 °C/W (MSOP-8)
- Parameter für thermische Charakterisierung von Übergang zu Gehäuse (Oberseite): 7,4 °C/W (DFNW-8) oder 10,3 °C/W (MSOP-8)
- Parameter für thermische Charakterisierung von Übergang zu Board (FEM): 10,2 °C/W (DFNW-8) oder 15,5 °C/W (MSOP-8)
- Maximale ESD-Fähigkeit
- Human-Body-Modell (HBM): 2 kV
- Charged-Device-Modell (CDM): 1 kV
Typischer Applikationsschaltplan
Internes Blockdiagramm
