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onsemi NTBL012N065M3S EliteSiC-MOSFET

Der EliteSiC-MOSFET NTBL012N065M3S von onsemi verfügt über eine Drain-Source-Nennspannung von 650 V und unterstützt einen Drainstrom von bis zu ca. 142 A (bei 25 °C). Dieser MOSFET bietet einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand von 12 mΩ (bei VGS = 18 V), schnelles Schalten bei geringer Kapazität (Coss = 268 pF) und eine extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 143 nC). Der MOSFET NTBL012N065M3S ist zu 100 % Avalanche-getestet und kann in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C betrieben werden. Dieser MOSFET ist in einem Oberflächenmontage-Gehäuse H-PSOF8L erhältlich. Zu den typischen Applikationen zählen Schaltnetzteile (SMPS), Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS) sowie Energiespeicher und Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge.

Merkmale

  • Typischer RDS(ON) von 12 mΩ bei VGS = 18 V
  • Extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot)): 143 nC
  • Hochgeschwindigkeitsschaltung bei niedriger Kapazität (Coss = 268 pF)
  • 100 % Avalanche-getestet
  • Halogenfrei
  • RoHS-konform mit Ausnahme von 7a
  • Bleifrei 2LI (auf der zweiten Verbindungsebene)

Applikationen

  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • Solarwechselrichter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung (UPS)
  • Energiespeicher
  • EV-Ladeinfrastruktur

Technische Daten

  • Drain-Source-Nennspannung von 650 V 
  • Dauersenkenstrom:
    • 142 A bei 25 °C
    • 101 A bei 100 °C
  • Avalanche-Energie pro Einzelimpuls: 199 mJ (ILPK = 63 A, L = 0,1 mH, IAS = 63 A, VDD = 100 V und VGS = 18 V)
  • Verlustleistung:
    • 576 bei 25 °C
    • 288 W bei 100 °C
  • Betriebstemperaturbereich: -55 °C – 175 °C

Maßbild

Technische Zeichnung - onsemi NTBL012N065M3S EliteSiC-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2026-06-02 | Aktualisiert: 2026-06-30