Zurück zu onsemi

onsemi NTBL016N065M3S EliteSiC-MOSFET

Der NTBL016N065M3S EliteSiC-MOSFET von onsemi bietet einen sehr niedrigen On-Widerstand von 16 mΩ (bei VGS = 18 V) und eine extrem niedrige Gate-Ladung von 104 nC. Dieser MOSFET verfügt über eine Drain-Source-Nennspannung von 650 V und unterstützt einen Drainstrom von 103 A (bei 25 °C). Der MOSFET NTBL016N065M3S ist zu 100 % auf Avalanche-Festigkeit geprüft und unterstützt den Betrieb in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C. Dieser blei- und halogenfreie MOSFET ist in einem oberflächenmontierten H-PSOF8L-Gehäuse erhältlich. Typische Applikationen umfassen Schaltnetzteile (SMPS), Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS), Energiespeicher und Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge.

Merkmale

  • 16 mΩ typischer RDS(ON) bei VGS = 18 V
  • 104 nC extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot))
  • Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität (Coss = 195 pF)
  • 100 % Avalanche-getestet
  • Halogenfrei
  • RoHS-konform mit Ausnahme von 7a
  • Bleifrei 2LI (auf der zweiten Verbindungsebene)

Applikationen

  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • Solarwechselrichter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung (UPS)
  • Energiespeicher
  • EV-Ladeinfrastruktur

Technische Daten

  • Drain-Source-Nennspannung von 650 V 
  • Dauersenkenstrom:
    • 103 A bei 25 °C
    • 74 A bei 100 °C
  • 135 mJ Einzelimpuls-Avalanche-Energie (ILPK=52 A, L=0,1 mH, IAS=52 A, VDD=100 V und VGS=18 V)
  • Verlustleistung:
    • 416 W bei 25 °C
    • 208 W bei 100 °C
  • Betriebstemperaturbereich: -55 °C – 175 °C

Maßbild

Technische Zeichnung - onsemi NTBL016N065M3S EliteSiC-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2026-06-03 | Aktualisiert: 2026-06-30