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onsemi NTBL016N065M3S EliteSiC-MOSFET

Der EliteSiC-MOSFET NTBL016N065M3S Onsemi bietet einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand von 16 mΩ (bei VGS =18 V) und eine extrem niedrige Gate-Ladung von 104 nC. Dieser MOSFET verfügt über eine Drain-Source-Nennspannung von 650 V und unterstützt einen Drainstrom von 103 A (bei 25 °C). Der MOSFET NTBL016N065M3S ist zu 100 % auf Avalanche-Festigkeit geprüft und unterstützt den Betrieb in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C. Dieser blei- und halogenfreie MOSFET ist in einem oberflächenmontierten H-PSOF8L-Gehäuse erhältlich. Typische Applikationen umfassen Schaltnetzteile (SMPS), Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS), Energiespeicher und Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge.

Merkmale

  • Typischer RDS(ON) von 16 mΩ bei VGS = 18 V
  • Extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot))
  • Hochgeschwindigkeitsschaltung bei niedriger Kapazität (Coss = 195 pF)
  • 100 % Avalanche-getestet
  • Halogenfrei
  • RoHS-konform mit Ausnahme von 7a
  • Bleifrei 2LI (auf der zweiten Verbindungsebene)

Applikationen

  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • Solarwechselrichter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung (UPS)
  • Energiespeicher
  • EV-Ladeinfrastruktur

Technische Daten

  • Drain-Source-Nennspannung von 650 V 
  • Dauersenkenstrom:
    • 103 A bei 25 °C
    • 74 A bei 100 °C
  • Avalanche-Energie pro Einzelimpuls von 135 mJ (ILPK = 52 A, L = 0,1 mH, IAS = 63 A, VDD = 100 V und VGS = 18 V)
  • Verlustleistung:
    • 416 bei 25 °C
    • 208 W bei 100 °C
  • Betriebstemperaturbereich: -55 °C – 175 °C

Maßbild

Technische Zeichnung - onsemi NTBL016N065M3S EliteSiC-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2026-06-03 | Aktualisiert: 2026-06-30