onsemi NTHL012N065M3S Siliciumcarbid(SiC)-MOSFET
Der Siliciumcarbid (SiC)-MOSFET NTHL012N065M3S von onsemi ist ein planarer EliteSiC®-650-V-M3S-MOSFET, der für schnell schaltende Leistungsapplikationen optimiert ist. Das Bauteil bietet einen niedrigen On-Widerstand und geringe Schaltverluste und unterstützt eine effiziente Leistungsumwandlung in kompakten, hochleistungsfähigen Designs. Der NTHL012N065M3S implementiert eine planare SiC-Technologie, die für einen zuverlässigen Betrieb mit negativer Gate-Spannung und Abschaltspitzen am Gate ausgelegt ist. Der SiC-MOSFET bietet ein optimales Betriebsverhalten bei einer Gate-Ansteuerung von 18 V und unterstützt zudem den Betrieb mit einer Gate-Ansteuerung von 15 V für Flexibilität beim Design.
Der SiC MOSFET NTHL012N065M3S von onsemi eignet sich ideal für Schaltnetzteile, Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Energiespeichersysteme und Ladeinfrastrukturen für Elektrofahrzeuge. Der NTHL012N065M3S ist in einem TO-247-3L-Gehäuse erhältlich und unterstützt den Betrieb bei hohen Sperrschichttemperaturen für anspruchsvolle Leistungselektronikapplikationen.
Merkmale
- EliteSiC-650-V-M3S-Planar-SiC-MOSFET-Technologie für schnell schaltende Applikationen
- Zuverlässiger Planar-Technologie-Betrieb mit negativer Gate-Ansteuerspannung und Abschaltspitzen am Gate
- Optimierte Leistung bei 18-V-Gate-Ansteuerung und starke Leistung bei 15-V-Gate-Ansteuerung
- Niedrige EON- und EOFF-Schaltverluste dank neuer M3S-Technologie
- Niedrige Ausgangskapazität für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen
- Extrem niedrige Gesamt-Gate-Ladung für effizienten Schaltbetrieb
- 100 % Avalanche-getestetes Bauteil
- Halogenfrei und RoHs-konform mit Ausnahme von 7a
- Bleifrei, 2LI bei der Second-Level-Interconnection
Applikationen
- Schaltnetzteile
- Umrichter für Solaranlagen
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
- Energiespeichersysteme
- EV-Ladeinfrastruktur
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung von 650 V
- Typischer RDS(ON) von 12,2 mΩ bei VGS = 18 V
- Maximaler Drainstrom von 123 A bei TC = 25 °C
- Dauersenkenstrom von 87 A bei TC = 100 °C
- Typische Gesamt-Gate-Ladung von 135 nC
- Typische Ausgangskapazität von 281 pF
- Dynamischer Gate-zu-Source-Spannungsbereich von –10 V bis +22,6 V
- Empfohlener Gate-Source-Betriebsspannungsbereich von –3 V bis +18 V
- Einzelimpuls-Avalanche-Energie von 259 mJ
- Thermischer Widerstand Sperrschicht-zu-Gehäuse von 0,35 °C/W
- Sperrschichtbetriebs- und Lagertemperaturbereich von –55 °C bis +175 °C
- TO-247-3L-Gehäuse
Gehäusetyp
Thermische Reaktionseigenschaften
Veröffentlichungsdatum: 2026-07-09
| Aktualisiert: 2026-07-14