onsemi NTHL016N065M3S Siliciumcarbid(SiC)-MOSFET
Der Siliciumcarbid(SiC)-MOSFET NTHL016N065M3S von onsemi ist ein EliteSiC®-650-V-M3S-Planar-MOSFET, der für schnellschaltende Applikationen optimiert ist. Das Bauteil kombiniert einen niedrigen On-Widerstand, eine niedrige Kapazität und geringe Schaltverluste, um eine effiziente Leistungsumwandlung in kompakten Hochleistungssystemen zu unterstützen. Der NTHL016N065M3S verwendet die planare SiC-Technologie, die für einen zuverlässigen Betrieb mit negativer Gate-Ansteuerspannung und Abschaltspitzen am Gate ausgelegt ist. Der SiC-MOSFET liefert optimale Leistung bei einer Gate-Ansteuerung von 18 V und funktioniert auch bei einer Gate-Ansteuerung von 15 V einwandfrei und ermöglicht dadurch Designflexibilität.
Der Siliciumcarbid(SiC)-MOSFET der Baureihe NTHL016N065M3S von onsemi eignet sich ideal für Schaltnetzteile, Solarumrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Energiespeichersysteme und Ladeinfrastrukturen für Elektrofahrzeuge. Der NTHL016N065M3S ist in einem TO-247-3L-Gehäuse erhältlich und unterstützt Hochtemperatur-Leistungselektronik-Designs mit Betrieb bis zu einer Sperrschichttemperatur von +175 °C.
Merkmale
- EliteSiC-650-V-M3S-Planar-SiC-MOSFET-Technologie für schnell schaltende Applikationen
- Zuverlässiger Planar-Technologie-Betrieb mit negativer Gate-Ansteuerspannung und Abschaltspitzen am Gate
- Optimierte Leistung bei 18-V-Gate-Ansteuerung und starke Leistung bei 15-V-Gate-Ansteuerung
- Niedrige EON und EOFF-Schaltverluste dank M3S-Technologie
- Niedrige Ausgangskapazität für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen
- Extrem niedrige Gesamt-Gate-Ladung für effizienten Schaltbetrieb
- 100 % Avalanche-getestetes Bauteil
- Halogenfrei und RoHs-konform mit Ausnahme von 7a
- Bleifrei, 2LI bei der Second-Level-Interconnection
Applikationen
- Schaltnetzteile
- Umrichter für Solaranlagen
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
- Energiespeichersysteme
- EV-Ladeinfrastruktur
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung von 650 V
- Typischer RDS(ON) von 16,8 mΩ bei VGS = 18 V
- Maximaler Drainstrom von 94 A bei TC = 25 °C
- Dauersenkenstrom von 66 A bei TC = 100 °C
- Gesamt-Gate-Ladung von 100 nC (typ.)
- Typische Ausgangskapazität von 202 pF
- Gate-Source-Spannungsbereich von –10 V bis +22,6 V
- Empfohlener Gate-Source-Betriebsspannungsbereich von –3 V bis +18 V
- Einzelimpuls-Avalanche-Energie von 180 mJ
- Thermischer Widerstand Sperrschicht-zu-Gehäuse von 0,45 °C/W
- Sperrschichtbetriebs- und Lagertemperaturbereich von –55 °C bis +175 °C
- TO-247-3L-Gehäuse
Gehäusetyp
Thermische Reaktionseigenschaften
Veröffentlichungsdatum: 2026-07-09
| Aktualisiert: 2026-07-14