onsemi NTMFS003P03P8Z P-Kanal MOSFET
Der NTMFS003P03P8Z P-Kanal-MOSFET von Onsemi ist ein einzelner -30 V MOSFET, der in den Abmessungen 5 mm x 6 mm erhältlich ist, um Platz zu sparen und eine hervorragende Wärmeleitung zu gewährleisten. Dieser P-Kanal-MOSFET verfügt über 1,8 mΩ ultra-niedrigen RDS(on) zur Verbesserung der Systemeffizienz und -234 A Drainstrom. Der NTMFS003P03P8Z P-Kanal-MOSFET arbeitet im Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 150°C. Dieser MOSFET ist ein Pb-freies, halogenfreies/BFR-freies und RoHS-konformes Gerät. Der NTMFS003P03P8Z MOSFET eignet sich als Lastschalter, Rückstromschutz, Überspannungsschutz und Schutz vor negativer Rückspannung sowie für das Batteriemanagement.
Merkmale
- Ultra-niedriger RDS(on) zur Verbesserung der Systemeffizienz
- ±25 V Gate-zu-Source-Spannung (VGS)
- -30 V Drain-to-Source Spannung (VDS)
- Fortschrittliche Gehäusetechnologie in 5 mm x 6 mm für Platzersparnis und exzellente Wärmeableitung
- Bauteile sind bleifrei halogen-/BFR-frei undRoHs-konform
Applikationen
- Stromlastschalter
- Schutzfunktionen:
- Rückstrom
- Überspannungsschutz
- Negative Rückwärtsspannung
- Batteriemanagement
P-Kanal MOSFET
Maßzeichnung
Veröffentlichungsdatum: 2025-02-04
| Aktualisiert: 2025-02-12