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onsemi NTTFSxD1N0xHL n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs

Die NTTFSxD1N0xHL n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi verwenden die leistungsstarke abgeschirmte Gate-MOSFET-Technologie für einen extrem niedrigen RDS(on). Diese Einkanal-MOSFETs von onsemi bieten ein geringes Schaltrauschen/EMI und ein vollständig UIL-getestetes robustes MSL1-Gehäusedesign. Die NTTFSxD1N0xHL MOSFETs sind in einem bleifreien, halogenfreien/BFR-freien und RoHs-konformen WDFN8-Gehäuse erhältlich. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Abwärtswandler, Punktlast, Lastschalter mit hohem Wirkungsgrad und Low-Side-Schaltung, O-Ring-FETs, DC/DC-Netzteile und synchrone MV-Abwärtswandler.

Merkmale

  • Leistungsstarke abgeschirmte Gate-MOSFET-Technologie für extrem niedrigen RDS(on)
  • Niedrige Leitungs- und Schaltverluste
  • Robustes MSL1-Gehäusedesign
  • 100 % UIS-getestet
  • Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform

Applikationen

  • DC/DC-Abwärtswandler und DC/DC-Netzteile
  • O-Ring-FETs und Punktlasten
  • Hocheffiziente Lastschalter und Low-Side-Schaltung
  • Synchrone MV-Abwärtswandler

Technische Daten

  • NTTFS2D1N04HL
    • 2,1 mΩ maximaler RDS(on) bei 10 V VGS, 23 A ID
    • 3,3 mΩ maximaler RDS(on) bei 4,5 V VGS, 18 A ID.
  • NTTFS3D7N06HL
    • 3,9 mΩ maximaler RDS(on) bei 10 V VGS, 233 A ID
    • 5,2 mΩ maximaler RDS(on) bei 4,5 V VGS, 18 A ID.
  • NTTFS5D9N08H
    • 5,9 mΩ maximaler RDS(on) bei 10 V VGS, 23 A ID
    • 9 mΩ maximaler RDS(on) bei 6 V VGS, 12 A ID

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Teilnummer Datenblatt Beschreibung
NTTFS3D7N06HLTWG NTTFS3D7N06HLTWG Datenblatt MOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3
NTTFS2D1N04HLTWG NTTFS2D1N04HLTWG Datenblatt MOSFETs T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3
NTTFS5D9N08HTWG NTTFS5D9N08HTWG Datenblatt MOSFETs T8 80V DFN POWER CLIP 3X3
Veröffentlichungsdatum: 2020-08-06 | Aktualisiert: 2024-06-05