onsemi NVBG110N65S3F SUPERFET® n-Einkanal-MOSFET
Onsemi NVBG110N65S3F Single N-Channel SUPERFET® III MOSFET ist ein Hochspannungs- Super-Junction (SJ) MOSFET, der die Ladungsausgleichstechnologie nutzt, um einen niedrigen Durchlasswiderstand und eine geringere Gate-Ladung zu erzielen. Diese Technologie trägt dazu bei, Leitungsverluste zu minimieren, ein überlegenes Betriebsverhalten zu erzielen und extremen dv/dt-Raten standzuhalten. Der NVBG110N65S3F MOSFET eignet sich für verschiedene Stromversorgungssysteme zur Miniaturisierung und für höhere Wirkungsgrade. Dieser MOSFET ist AEC-Q101 qualifiziert und PPAP-fähig. Der NVBG110N65S3F MOSFET ist bleifrei und RoHs-konform. Typische Applikationen enthält ein Fahrzeug on-board Ladegerät und ein Fahrzeug DC/DC-Wandler für BEV.
Merkmale
- Niedrige RDS(on)
- Niedrige QG und Kapazität
- 100 % Avalanche-getestet
- AEC-Q101-qualifiziert
- PPAP-fähig
- Bleifrei
- RoHS-konform
Applikationen
- Automotives On-Board-Ladegerät
- Automotive-DC/DC-Wandler für BEVs
Technische Daten
- Typischer niedriger On-Widerstand von 93 mΩ
- Ultra-niedrige Gate-Ladung von 58 nC
- Geringere effektive Ausgangskapazität von 553 pF
- Avalanche-Strom von 3,5 A
- Sperrbetriebs- und Lagertemperaturbereich von -55 °C und +150 °C
Weitere Ressourcen
Veröffentlichungsdatum: 2026-02-25
| Aktualisiert: 2026-04-09