onsemi NVBLS0D8N08X Einzelne N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die einzelnen N-Kanal-Leistungs-MOSFETs NVBLS0D8N08X von onsemi  sind in einem 5 mm x 6 mm Flat-Lead-Gehäuse untergebracht, was eine effiziente Gestaltung ermöglicht. Die onsemi  NVBLS0D8N08X MOSFETs sind mit einer benetzbaren Flankenoption ausgestattet, um eine verbesserte optische Inspektion und Qualitätskontrolle zu gewährleisten. Die MOSFETs sind gemäß AEC-Q101 für den Einsatz im Automobilbereich geeignet und PPAP-fähig.

Merkmale

  • Kleiner Footprint (5 mm x 6 mm)
  • Niedriger RDS(on)
  • Niedrige QG und Kapazität
  • NVMFWS1D5N08X - benetzbare Flankenoption
  • AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Schaltnetzteile
  • Leistungsschalter (High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber, H-Brücken usw.)
  • 48 V-Systeme

Applikations-Schaltungs-Diagramm

Applikations-Schaltungsdiagramm - onsemi NVBLS0D8N08X Einzelne N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2024-02-14 | Aktualisiert: 2024-02-21