onsemi NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETs
Die Einzel-n-Kanal-MOSFETs der Baureihe NVD6824NL von onsemi bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit. Diese MOSFETs verfügen über eine Drain-Source-Spannung von 100 V, einen maximalen Drain-Source-On-Widerstand von 20 mΩ und einen Dauersenkenstrom von 41 A. Die MOSFETs der Baureihe NVD6824NL sind AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Diese MOSFETs sind für Avalanche-Energie spezifiziert. Die MOSFETs der Baureihe NVD6824NL sind bleifrei, halogen-/BFR-frei und RoHS-konform. Diese MOSFETs eignen sich für Fahrzeuganwendungen wie Magnetspulentreiber und Boost-Schalter.
Merkmale
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Hohe Strombelastbarkeit
- Avalanche-Energie spezifiziert
- Drain-Source-Widerstand: 100 V
- Maximaler Drain-Source-On-Widerstand: 20 mΩ
- 41 AA Dauersenkenstrom
- AEC-Q101-qualifiziert
- Blei- und halogen-/BFR-frei
- RoHS-konform
Applikationen
- Magnetspulentreiber
- Boost-Schalter
n-Kanal
Veröffentlichungsdatum: 2025-11-07
| Aktualisiert: 2025-11-20