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onsemi NVMTS1D1N04C N-Kanal-MOSFET

Der N-Kanal-MOSFET NVMTS1D1N04C von onsemi ist ein 40-V-N-Einzelkanal-Leistungs-MOSFET, der für kompakte Hochstrom-Schaltapplikationen entwickelt wurde. Das Bauteil nutzt die PowerTrench®-T6-Technologie von onsemi und ein Power-88-Gehäuse, um effizientes Leistungsschalten in platzbeschränkten Designs zu ermöglichen. Der MOSFET trägt dazu bei, Leitungsverluste durch niedrigen Einschaltwiderstand zu minimieren und Treiberverluste durch eine niedrige Gate-Ladung und -Kapazität zu reduzieren. Der MOSFET der Baureihe NVMTS1D1N04C ist nach AEC-Q101 qualifiziert und PPAP-fähig und unterstützt Fahrzeug- sowie andere Produktionsumgebungen, die qualifizierte, rückverfolgbare Leistungsbauteile erfordern.

Der N-Kanal-MOSFET NVMTS1D1N04C von onsemi eignet sich ideal für Leistungsschaltapplikationen, einschließlich High-Side- und Low-Side-Treiber sowie H-Brücken-Designs. Der NVMTS1D1N04C ist in einem DFNW8-Power-88-Gehäuse untergebracht und unterstützt den Betrieb über einen Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von –55 °C bis +175 °C.

Merkmale

  • N-Einzelkanal-PowerTrench-T6-MOSFET für Leistungsschaltapplikationen
  • Power 88-Gehäuse mit kleinem Footprint für kompakte Designlayouts
  • Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
  • Niedrige Gate-Ladung und -Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
  • AEC-Q101-zugelassen und PPAP-fähig für Fahrzeuganwendungen
  • Bleifreie und RoHS-konforme Bauteiloptionen

Applikationen

  • Leistungsschalter (High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber und H-Brücken)
  • Fahrzeuganwendungen

Technische Daten

  • Drain-Source-Spannung: 40 V
  • Maximaler RDS(ON) von 1,1 mΩ bei VGS = 10 V
  • Dauersenkenstrom von 277 A bei TC = 25 °C
  • Dauersenkenstrom von 196 A bei TC = 100 °C
  • Gate-Source-Spannung von ±20 V
  • Typische Gate-Ladung von 86 nC bei VGS =10 V
  • Typische Eingangskapazität von 5.410 pF
  • Typische Ausgangskapazität von 3.145 pF
  • Typische Rückübertragungskapazität von 82 pF
  • Einzelimpuls-Drain-Source- Avalanche-Energie von 721 mJ
  • Thermischer Widerstand Sperrschicht-zu-Gehäuse von 0,98 °C/W
  • Sperrschichtbetriebs- und Lagertemperaturbereich von –55 °C bis +175 °C
  • Gehäuse
    • DFNW8 Power 88-Gehäuse
    • 8 mm x 8 mm Gehäusegröße

Gehäusetyp

Applikations-Schaltungsdiagramm - onsemi NVMTS1D1N04C N-Kanal-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2026-07-09 | Aktualisiert: 2026-07-15