onsemi NVMTSC1D3N08M7 n-Einkanal-Leistungs-MOSFET
Der onsemi NVMTSC1D3N08M7 n-Einkanal-Leistungs-MOSFET ist ein kompakter und effizient ausgelegter Automotive-Leistungs-MOSFET mit hoher thermischer Leistung. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über eine niedrige Kapazität und eine benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion. Der NVMTSC1D3N08M7 MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert sowie PPAP-fähig und verfügt über einen kleinen Footprint in einem Flat-Lead-Gehäuse von 8 mm x 8 mm. Dieses Bauteil eignet sich hervorragend für den Batterie-Verpolungsschutz, Schaltnetzteile, High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber, H-Brücken und andere Fahrzeuganwendungen.
Merkmale
- Kompaktes Design
- Reduziert Leitungsverluste
- Reduziert Treiberverluste
- Kleiner Footprint von 8 mm x 8 mm
- Niedriger RDS(on)
- Niedriger QG und geringe Kapazität
- Benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion
- AEC-Q101-qualifiziert und PAAP-fähig
- Automotive-qualifiziert
- RoHS-konform
Applikationen
- Leistungsschalter:
- High-Side-Treiber
- Low-Side-Treiber
- H-Brücken
- Batterie-Verpolungsschutz
- Schaltnetzteile
Technische Daten
- Durchschlagspannung: 80 VDS
- Dauersenkenstrom: 348 A
- Drain-Source-Widerstand: 1,25 mΩ
- Gate-Ladung: 196 nC
- Verlustleistung: 5,1 W
- Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
Veröffentlichungsdatum: 2019-12-05
| Aktualisiert: 2024-01-31