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onsemi NVNJWS0K9N10MCL Kleinsignal-MOSFET

Der Onsemi NVNJWS0K9N10MCL Kleinsignal-MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit integriertem ESD-Schutz. Dieser MOSFET zeichnet sich durch einen niedrigen ON-Widerstand (RDS(on)), eine Drain-zu-Quellenspannung von 100 V und einen Dauersenkenstrom von 1,33 A bei 25 °C (RθJC) aus. Der NVNJWS0K9N10MCL MOSFET ist AEC-Q101 qualifiziert, PPAP-fähig und bleifrei. Typische Applikationen umfassen OBC, Motorsteuerung, Lüfterpumpen und LED-Beleuchtung.

Merkmale

  • Niedriger RDS (on)
  • GATE mit ESD-Schutz
  • AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
  • Benetzbare Flanke für eine verbesserte optische Inspektion
  • Bleifreies Gerät

Applikationen

  • OBC
  • Motorsteuerung
  • Lüfterpumpen
  • LED-Beleuchtung

Technische Daten

  • Drain-Source-Spannung: 100 V
  • Gate-Source-Spannung: ±20 V
  • 10,18 A gepulster Drainstrom (t p= 10 μs)
  • Betriebstemperaturbereich -55 °C bis +175 °C

Thermische Kennwerte

Leistungsdiagramm - onsemi NVNJWS0K9N10MCL Kleinsignal-MOSFET

Maßbild

Technische Zeichnung - onsemi NVNJWS0K9N10MCL Kleinsignal-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2026-07-24 | Aktualisiert: 2026-08-06