onsemi NVXK2TR40WXT Siliciumcarbid (SiC)-Modul
Das Onsemi NVXK2TR40WXT Siliciumcarbid (SiC) Modul ist ein 1.200 V 40mΩ und 27 A Dual-Halbbrücken-EliteSiC- Leistungsmodul, das in einem APM32 Dual Inline Package (DIP) untergebracht ist. Dieses SiC- Modul ist kompakt konstruiert, um einen niedrigen Gesamtmodul-Widerstand zu erzielen. Das NVXK2TR40WXT Leistungsmodul ist für die Automobilindustrie qualifiziert gemäß AEC-Q101 und AQG324. Dieses Leistungsmodul ist bleifrei, RoHS-konform und UL94V-0 konform. Das NVXK2TR40WXT EliteSiC MOSFET- Leistungsmodul eignet sich ideal für DC/DC Wandler und Onboard -Ladegeräte in xEV- Applikationen.
Merkmale
- DIP Siliciumcarbid (SiC) Dual-Half-Bridge Leistungsmodul
- 1.200 V Drain - Quelle Spannung (VDSS)
- 27 A Dauersenkenstrom (ID)
- 40 mΩ (typisch) Drain -to- Quelle -Einschaltwiderstand (RDS(EIN))
- -55 °C bis 175 °C Sperrschicht-Betriebstemperatur (TJ) Bereich
- Luftstrecke und Abstand gemäß IEC60664-1 und IEC 60950-1
- Kompaktes Design für einen niedrigen Gesamtwiderstand des Modul
- Modul-Serialisierung für vollständige Rückverfolgbarkeit
- Bleifrei
- RoHS- und UL94V-0-konform
- Gemäß AEC-Q101 und AQG324 für Fahrzeuganwendungen zugelassen
Applikationen
- HV-DC/DC und On-board-Ladegerät für EV-PHEV
- 11 kW bis 22 kW on-board Ladegerät für EV-PHEV
SiC MOSFET Halbbrückemodule
Verwandte Module
onsemi NVXK2TR80WDT Siliziumkarbid(SiC)-Modul
1.200 V, 80 mΩ und 20 A Dual-Halbbrücken-EliteSiC-Leistungsmodul, das in einem Dual-Inline-Gehäuse (DIP) untergebracht ist.
onsemi NVXK2PR80WXT2 Siliziumkarbid(SiC)-Modul
1.200 V, 80 mΩ und 31 A Vollbrücken-Leistungsmodul, das in einem Dual-Inline-Gehäuse (DIP) untergebracht ist.
onsemi NVXK2VR40WXT2 Siliziumkarbid(SiC)-Modul
1.200 V, 40 mΩ und 55 A Dreiphasen-Brückenleistungsmodul, das in einem Dual-Inline-Gehäuse (DIP) untergebracht ist.
onsemi NVXK2VR80WxT2 Siliziumkarbid(SiC)-Module
1200 V, 80 mΩ Dreiphasen-Brückenleistungsmodule, die in einem DIP-Gehäuse (Dual Inline Package) untergebracht sind.
Veröffentlichungsdatum: 2024-08-02
| Aktualisiert: 2026-04-20