onsemi NXH020P120MNF1 SiC-Modul
Das NXH020P120MNF1 SiC-Modul von Onsemi enthält eine 20Mohm 1200 V-SiC-MOSFET-Halbbrücke und einen NTC-Thermistor in einem F1-Modul Das Modul verfügt über eine empfohlene Gate-Spannung von 18 V bis 20 V. Das NXH020P120MNF1 verfügt über einen verbesserten RDS (ON) bei höherer Spannung und einen niedrigen thermischen Widerstand.
Merkmale
- Empfohlene Gate-Spannung: 18 V bis 20 V
- Verbesserter RDS(ON) bei höherer Spannung
- Niedriger thermischer Widerstand
- Verbesserter Wirkungsgrad oder höhere Leistungsdichte
- Optionen für TIM oder No-TIM
- Flexible Lösung für eine hochzuverlässige thermische Schnittstelle
Applikationen
- AC/DC-Wandlung
- DC/AC-Wandlung
- DC/DC-Wandlung
Schaltschema
Weitere Infos zu EliteSiC
onsemi EliteSiC
Erfüllt die Anforderungen von anspruchsvollen Applikationen, wie z. B. solar-Wechselrichter und Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.
Veröffentlichungsdatum: 2022-05-11
| Aktualisiert: 2024-06-18