onsemi n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs
Onsemi n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs sind für kompakte und effiziente Designs mit einem kleinen Footprint ausgelegt. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen RDS(ON), eine geringe QG und Kapazität zur Minimierung von Leitungs- und Treiberverlusten. Diese MOSFETs sind in 40 V, 60 V und 80 V Drain-Source-Spannungen und einer ±20 V Gate-Source-Spannung erhältlich. Die n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind bleifrei und RoHS-konform.
Merkmale
- Kleiner Footprint (5 mmm x 6 mmm) für ein kompaktes Design
- Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
- Geringe QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
- LFPAK4-Gehäuse nach Industriestandard
- Bleifrei
- RoHS-konform
Technische Daten
- Drain-Source-Durchschlagspannung: 40 V, 60 V oder 80 V
- Dauersenkenstrom: 14 A bis 253 A
- Drain-Source-On-Widerstand: 1,43 mΩ bis 67 mΩ
- Gate-Source-Schwellenspannung: 2 V bis 4 V
- Verlustleistung: 23 W bis 194 W
- Maximale Betriebstemperatur: bis zu +175 °C
Vereinfachtes Blockdiagramm
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung |
|---|---|---|
| NTMYS006N08LHTWG |  |
MOSFETs T8 80V LL LFPAK |
| NVTFWS4D9N04XMTAG | |
MOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE |
| NVMFWS0D63N04XMT1G | |
MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
| NTTFSSH1D3N04XL | |
MOSFETs T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2 |
| NVMFWS2D1N08XT1G | |
MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF |
| NVMFWS3D5N08XT1G | |
MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF |
| NVMFWS1D1N04XMT1G | |
MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
| NVMFWS2D9N04XMT1G | |
MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
| NTMYS013N08LHTWG | |
MOSFETs T8 80V LL LFPAK |
| NTMYS020N08LHTWG | |
MOSFETs T8 80V LL LFPAK |
Veröffentlichungsdatum: 2023-12-20
| Aktualisiert: 2025-10-30