onsemi T30LMXT3V4T245 Transceiver mit dualer Versorgung

Der Transceiver mit dualer Versorgung T30LMXT3V4T245 von onsemi ist ein konfigurierbarer, bidirektionaler 4-Bit-Hochgeschwindigkeits-Transceiver mit dualer Versorgung der entwickelt wurde, um eine zuverlässige Spannung‑Pegel-Umsetzung zwischen digitalen Schnittstellen zu ermöglichen, die mit unterschiedlichen Versorgungsspannungen arbeiten. Das Bauteil verfügt über unabhängige A- und B-Anschlüsse, die über separate Versorgungsspannungen (VCCA und VCCB) gespeist werden, die jeweils auf einen Wert zwischen 0,9 V und 3,6 V eingestellt werden können, wodurch eine nahtlose bidirektionale Umsetzung über einen weiten Bereich von Niederspannungs-Logikpegeln ermöglicht wird.

Intern ist der Transceiver mit dualer Versorgung T30LMXT3V4T245 von onsemi in zwei unabhängige 2‑Bit-Gruppen unterteilt, von denen jede über eigene Steuerungen für die Richtung (DIR) und die Ausgangsfreigabe (OE) verfügt, was ein flexibles Datenflussmanagement und einen 3-State-Betrieb auf Gruppenebene ermöglicht. Die Richtungssteuerung legt fest, ob Daten von A nach B oder von B nach A fließen, während die OE-Pins beide Ports einer Gruppe bei Deaktivierung in den hochohmigen Zustand versetzen, wodurch die gemeinsame Nutzung und Isolierung des Busses ermöglicht wird.

Das Bauteil T30LMXT3V4T245 unterstützt Hochgeschwindigkeitsbetrieb mit symmetrischen Laufzeitverzögerungen und erreicht Datenraten von bis zu 400 MBit/s bei Spannungswandlungen mit höheren Spannungen. Es bietet außerdem einen symmetrischen Ausgangsstrom bon bis zu ±24  bei 3,0 V für eine hohe Signalintegrität. Zu den weiteren Robustheitsmerkmalen gehören eine nicht-präferentielle Stromversorgungssequenzierung, ein Schutz vor Teilausfällen sowie Ausgänge, die standardmäßig im 3-State-Modus betrieben werden, bis gültige Versorgungsspannungen anliegen. Dies trägt dazu bei, Rückspeisung und Buskonflikte während der Leistungsumsetzung zu verhindern. Das in einem kompakten, bleifreien UQFN16-Gehäuse (1,8 mm × 2,6 mm) untergebrachte Bauteil T30LMXT3V4T245 eignet sich hervorragend für platzbeschränkte Designs wie mobile Bauteile, tragbare Elektronik und Fahrzeugsysteme, die schnelle, flexible und zuverlässige Spannungsumsetzung bei zwei Versorgungsspannungen erfordern.

Merkmale

  • Breiter VCCA- und VCCB-Betriebsbereich: 0,9 V bis 3,6 V
  • Symmetrischer Ausgangsantrieb bei 3,0 V: ±24 mA
  • Hohe Geschwindigkeit mit ausgeglichener Laufzeitverzögerungen, 2,3 ns maximal von 3.0 V bis 3,6 V
  • Eingangspins OVT auf 3,6 V
  • Nicht-präferentielle VCC-Sequenzierung
  • Die Ausgänge befinden sich im 3-State-Modus, bis die aktive VCC erreicht ist
  • Teilweiser Ausschaltschutz
  • Die Ausgänge wechseln in den 3-State-Zustand, wenn VCC auf GND liegt
  • Typische maximale Datenraten
    • 400 MBit/s (Umsetzung: ≥1,8 V bis 3,3 V)
    • 200 Mbps (≥1,1 V bis [1,8 V, 2,5 V, 3,3 V] Umsetzung)
    • 150 Mbps (≥ 1,1 V bis 1,5 V Umsetzung)
    • 100 Mbps (Umsetzung: ≥1,1 V bis 1,2 V)
  • Kleines UQFN16-Gehäuse mit 1,8 mm x 2,6 mm
  • Bleifrei und RoHS-konform

Applikationen

  • Handys, PDAs und andere tragbare Geräte
  • Fahrzeug

Technische Daten

  • Versorgungsspannungsbereich (Positive Gleichspannung): 0,9 V bis 3,6 V
  • Maximaler DC-Eingangs/Ausgangsdiodenstrom: -50 mA
  • Maximaler DC-Ausgangstrom für Quelle/Ableitvorrichtung: ±50 mA
  • Maximaler DC-Versorgungsstrom pro Versorgungs-Pin: ±100 mA
  • Maximaler DC-Erdstrom pro Erdungspin: ±100 mA
  • Maximaler Leistungsverlust in ruhiger Luft: 875 mW
  • Maximaler thermischer Widerstand: 142 °C/W
  • Maximale Latchup-Leistung von ±100 mA oberhalb von VCC und unterhalb von GND bei +25 °C
  • Anstiegs-/Abfallbereich des Eingangssignals: 0 nS/V bis 5 nS/V
  • Typische Eingangskapazität der Steuerstifte: 2,5 pF
  • Typische Eingangskapazität des I/O-Pins: 5,0 pF
  • Kapazitätsbereich der Verlustleistung: 0,4 pF bis 12 pF
  • -40 °C bis +125 °C Betriebstemperaturbereich
  • Maximale Sperrschichttemperatur unter Vorspannung: +150 °C
  • Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1
  • Brennbarkeitsklasse UL 94V-0 bei 0,125 Zoll
  • Maximale ESD-Spannungsfestigkeit
    • 2 kV Human-Body-Modell (HBM)
    • 1 kV Charged-Device-Model (CDM)

Logikschaltung

Schaltplan - onsemi T30LMXT3V4T245 Transceiver mit dualer Versorgung
Veröffentlichungsdatum: 2026-03-18 | Aktualisiert: 2026-03-25