onsemi UF4C/SC 1.200 V Gen 4 SiC-FETs
Die SiC-FETs von Onsemi UF4C/SC 1.200 V Gen 4 sind eine Hochleistungsserie, die die branchenweit besten Leistungszahlen (Figures of Merit) liefert. Die UF4C/SC 1.200 V Gen 4 SiC FETs sind ideal für Mainstream 800 V Bus-Architekturen in Onboard-Ladegeräten für Elektrofahrzeuge, industrielle Batterieladegeräte, industrielle Stromversorgungen, erneuerbare Energien, Energiespeicherung, Schweißmaschinen, USV und Induktionsheizungsanwendungen. Die Baureihe der 4. Generation ist in Optionen von 23 mΩ bis 70 mΩ erhältlich und basiert auf einer einzigartigen Kaskodenkonfiguration, bei der ein leistungsstarker SiC-JFET mit einem kaskodenoptimierten Si-MOSFET in einem Gehäuse kombiniert wird, um ein SiC-Bauteil mit Standard-Gate-Drive zu erstellen. Diese Eigenschaft ermöglicht ein flexibles Design ohne Änderung der Gate-Treiberspannung, so dass Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs oder Si Super-Junction-Bauelemente problemlos ersetzt werden können.
Onsemi UF4C/SC 1.200 V Gen 4 SiC-FETs werden in einem dreiadrigen TO247-3L Gehäuse und einem vieradrigen TO-247-4 Gehäuse mit Kelvin-Source-Anschluss angeboten. Mit dem Kelvin-Source-Design des TO-247-4L -Gehäuses weist dieser Baustein schnelle Schalt- und niedrige Reverse-Recovery-Eigenschaften auf, während gleichzeitig saubere Gate-Wellenformen erhalten bleiben. Dieses Bauteil eignet sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und Applikationen, die Standard-Gate-Drives erfordern.
Merkmale
- 1.200 V VDS -Einstufung
- Niedriger RDS (on) von 23 mΩ bis 70 mΩ
- Hervorragende Leistungswerte
- RDS(on) x Fläche
- RDS(on) x Eoss
- RDS(on) x Coss, tr
- RDS(on) x Qg
- Ausgezeichneter Schwellenwert für Rauschverhalten bei Beibehaltung eine echten Schwellenspannung von 5 V
- Sicherer Betrieb mit standardmäßiger Gate-Ansteuerspannung von 0 V bis 12 V oder 15 V
- Funktioniert mit allen Si-IGBT-, Si-FET- und SiC-FET-Treiberspannungen
- Ausgezeichnete Sperrverzögerung
- Hervorragende Leistung der Body-Diode Vf < 2="">
- Niedrige Gate-Ladung
- Niedrige intrinsische Kapazität
- ESD-geschützt, HBM Klasse 2
- TO247-3L und TO247-4L (Kelvin) Gehäuse
Applikationen
- integriertes Laden
- Industrie-Akkuladegeräte
- PFC in Solartechnik
- Industrienetzteile
- Schweißmaschinen
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- Induktionserwärmung
Technische Daten – Diagramm
Videos
Verwandte SiC-FETs
onsemi High-Performance SiC FETs
Deliver ultra-low gate charge and the best reverse recovery characteristics at the same time.
onsemi Qorvo UJ4C/SC 750V-SiC-FETs der 4. Generation
750 V VDS -Siliziumkarbid-FETs, die in 5 mΩ- bis 60 mΩ-Optionen mit extrem niedrigem RDS (on) x EOSS verfügbar sind.
onsemi UJ4C/SC SiC-FETs von 750 V im D2PAK-7L-Gehäuse
Ultra-niedrige Gate-Ladung und außergewöhnliche Sperrverzögerungseigenschaften in einem D2PAK-7L-Gehäuse.