Zurück zu onsemi

onsemi UJ4C/SC SiC-FETs von 750 V im D2PAK-7L-Gehäuse

onsemi UJ4C/SC SiC-FETs von 750 V in einem D2PAK-7L-Gehäuse sind in mehreren On-Widerstandsoptionen von 9 mΩ bis 60 mΩ erhältlich. Diese Bauelemente nutzen eine einzigartige Kaskaden-SiC-FET-Technologie, bei der ein normalerweise eingeschalteter SiC-JFET mit einem Si-MOSFET zusammen gepackt wird, um einen normalerweise ausgeschalteten SiC-FET zu erzeugen. Diese Bauelemente bieten eine überragende RDS x Flächengütezahl, was zu niedrigen Leitungsverlusten in einem kleinen Chip führt. Das D2PAK-7L-Gehäuse bietet eine reduzierte Induktivität durch kompakte interne Verbindungsschleifen, die zusammen mit der mitgelieferten Kelvin-Quellenverbindung zu einem niedrigen Schaltverlust führt, wodurch ein Betrieb mit höherer Frequenz und eine verbesserte Systemleistungsdichte ermöglicht wird. Fünf parallele Knickflügel-Quellenverbindungen ermöglichen eine niedrige Induktivität und die Verwendung von Hochstrom. Das Silber-Sinter-Die-Attach bietet einen geringen Wärmewiderstand für maximale Wärmeableitung auf Standard-PCBs und IMS-Substraten mit Flüssigkeitskühlung.

Diese SiC-FETs zeichnen sich durch eine niedrige Body-Diode, eine extrem niedrige Gate-Ladung und eine Schwellenspannung von 4,8 V aus, die einen Antrieb von 0 V bis 15 V ermöglicht. Die Standard-Gate-Drive-Eigenschaften der FETs machen sie zum idealen Ersatz für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder S- Super-Junction-Bauteile. Die UJ4C/SC 750-V-SiC-FETs von onsemi sind ESD-geschützt und eignen sich ideal für den Einsatz in Onboard-Ladegeräten, sanft schaltenden DC/DC-Wandler, Batterieladegeräten (schneller DC und Industrie) und IT-/Server-Netzteilen.

Merkmale

  • Nennspannung: 750 VDS
  • Niedriger RDS (on) von 9 mΩ bis 60 mΩ
  • Key Figures of Merit ermöglichen leistungsstarke Stromversorgungskonzepte der nächsten Generation
    • Überlegener RDS(on) x Fläche
    • Verbessert die Qrrund Eon/E off -Verluste bei einem angegebenen RDS (on)
    • Reduziert sowohl Coss(er)/E ossals auch Coss(tr)
  • Ausgezeichnete Leistung der Body-Diode (Vf<2>
  • Niedrige Gate-Ladung
  • Maximale Betriebstemperatur von +175 °C
  • Ausgezeichnete Rückgewinnung (Qrr)
  • Schwellenspannung: 4,8 VG(th)
  • ESD-geschützt, HBM Klasse 2
  • Hohe Kriechstreckenabstand von 6,7 mm und Mindestabstand von 7,3 mm (SMT)
  • Fortgeschrittenes Ag-Sinter-Die-Attach für überragende thermische Leistung
  • D2PAK-7L Gehäuse

Applikationen

  • On-Board-Ladegeräte
  • Weichschaltende DC/DC Wandler
  • Batterieladung (schnelles DC und Industrie)
  • IT/Server-Netzteile

Produktübersicht

Tabelle - onsemi UJ4C/SC SiC-FETs von 750 V im D2PAK-7L-Gehäuse

Videos

Ressourcen

Verwandte SiC-FETs

onsemi High-Performance SiC FETs

Deliver ultra-low gate charge and the best reverse recovery characteristics at the same time.

Learn Moreüber onsemi High-Performance SiC FETs View Productsverwandt mit onsemi High-Performance SiC FETs

onsemi UF4C/SC 1.200 V Gen 4 SiC-FETs

1.200 V SiC-FETs mit RDS(on) von 23 mΩ bis 70 mΩ und branchenführenden Leistungsmerkmalen.

Learn Moreüber onsemi UF4C/SC 1.200 V Gen 4 SiC-FETs View Productsverwandt mit onsemi UF4C/SC 1.200 V Gen 4 SiC-FETs

onsemi Qorvo UJ4C/SC 750V-SiC-FETs der 4. Generation

750 V VDS -Siliziumkarbid-FETs, die in 5 mΩ- bis 60 mΩ-Optionen mit extrem niedrigem RDS (on) x EOSS verfügbar sind.

Learn Moreüber onsemi Qorvo UJ4C/SC 750V-SiC-FETs der 4. Generation View Productsverwandt mit onsemi Qorvo UJ4C/SC 750V-SiC-FETs der 4. Generation
Veröffentlichungsdatum: 2022-07-21 | Aktualisiert: 2025-07-25