Diodes Incorporated API21550Q Isolierter Halbbrücken-Gate-Treiber
Diodes Inc. API21550Q Isolierter High-Side-/Low-Side-Halbbrücken-Gate-Treiber ist ein Gate-Treiber mit einer Spitzen-Quellen-/Senkentreiberfähigkeit von bis zu 4 A/6 A. Je nach Betriebsbedingungen bietet der API21550Q die UVLO-Optionen von 5 V, 8 V und 12 V VDD zur Ansteuerung von GaN-, MOSFET- und IGBT/SIC-Bauteilen.
Der API21550Q wird mit einer maximalen Versorgungsspannung von 25 V für VDDbetrieben, während der Eingabebereich 3 V bis 5,5 V beträgt. Der API21550Q ist so konzipiert, dass er ein Eingangssignal in ein Ausgangsansteuersignal mit einer kurzen Laufzeitverzögerung und minimaler Impulsbreitenverzerrung umwandelt. Das Bauteil bietet außerdem einen Durchzündungsschutz mit einer programmierbaren Totzeit und die externe Deaktivierungsfunktion erhöht die Flexibilität der Applikation. Ein integrierter Entstörungsfilter von 14 ns macht den Treiber immun gegen Rauschstörungen.
Der API21550Q von Diodes Inc. bietet eine verstärkte Isolierung von 5.700 VRMS im SO-16W-Gehäuse (Typ CJ). Alle Modelle erreichen eine minimale Gleichtakt-Übergangsfestigkeit (CMTI) von 125 V/ns.
Merkmale
- Isolierter H/L-Halbbrücken-Gate-Treiber
- Versorgungsspannung auf Eingangsseite: 3 V bis 5,5 VCC
- Bis zu 4 A Spitzenquellen- und 6 A Spitzensenken-Stromausgang
- Gleichtakt-Übergangsfestigkeit (CMTI) größer als 125 V/ns
- Ausgangstreiberversorgung von bis zur 25 V VDD
- UVLO-Optionen von 5 V, 8 V, 12 V VDD
- Schaltparameter
- Typische Laufzeitverzögerung: 40 ns
- Maximale Verzögerungsanpassung: 8 ns
- Maximale Impulsbreitenverzerrung: 67 ns
- Maximale VDD-Einschaltverzögerung von 10 μs
- Lebensdauer der Isolationsbarriere: >40 Jahre
- Durchzündungsschutz und widerstandsprogrammierbare Totzeit
- Integrierter Deglitch-Filter von 14 ns
- Aktive Pulldown-Funktion
- Sicherheitsbezogene Zulassungen
- 8.000 VPK SO-16W (Typ CJ) gemäß DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
- 5.700 VRMS SO-16W (Typ CJ) für 1 Minute gemäß UL 1577
- CQC-Zertifizierung gemäß GB4943.1
- Mit den folgenden Ergebnissen AEC-Q100-qualifiziert:
- Gerätetemperaturklasse 1
- 4 kV HBM ESD
- 1,5 kV CDM ESD
- Untergebracht in SO-16W (Typ CJ)
- Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +125 °C
- Bleifrei und RoHS-konform
- Halogen- und antimonfrei, umweltfreundliches Gerät
- AEC-Q100 qualifiziert, PPAP-fähig und hergestellt in IATF 16949 zertifizierten Anlagen
Applikationen
- Ladegeräte für Hybrid- und Elektrofahrzeuge
- Motorantriebe in Fahrzeugen
- Wechselrichtersteuerung in Hybrid- und Elektrofahrzeugen
- Isolierte DC/DC-Wandler in Automotive
Funktionales Blockdiagramm
Development Tool
Diodes Incorporated API2155X-EVB1 Evaluierungsboard
Entwickelt zur Evaluierung der Dual‑Channel‑GATE‑Produktfamilie‑Treiber in SO‑14W‑/SO‑16W‑Gehäusen.