Pulse Electronics 1 Gigabit PoE-/PoE+-SMD-Transformatoren mit hoher Dichte
Die 1 Gigabit PoE-/PoE+-SMD-Transformatoren mit hoher Dichte von Pulse Electronics bieten weniger als 140 mm2/Anschlussdichte und verfügen über ein zuverlässiges oberflächenmontierbares Ball-Grid-Array (BGA). Diese Transformatoren unterstützen 4-Paar PoE+ (70 W) DC-Leistung und sind so konzipiert, dass sie hinter 2xN-Anschlüsse passen. Die 1 Gigabit PoE-/PoE+-SMD-Transformatoren bieten eine 10/100/1000base-T-Konnektivität und eine modulare Bauweise, die IEEE802.3u/ab übersteigt. Diese Transformatoren arbeiten über einen Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C.
Merkmale
- Kompakte 1 Gigabit SMT-PoE-Module mit weniger als 140 mm2/Anschlussdichte
- Zuverlässiges oberflächenmontierbares Ball-Grid-Array
- Standard- und Industrie-Temperaturbereich
- Die modulare Konstruktion übertrifft IEEE802.3u/ab
- Optionen unterstützen 4-Paar PoE+ (70 W) DC-Leistung
- Entwickelt, um hinter 2xN-Steckverbindern zu passen
- RoHS-6-konform und Spitzen-Reflow-Temperaturwert von 245 °C
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| Teilnummer | Datenblatt | Frequenzbereich | Induktivität | Isolierungsspannung | Anzahl der Kanäle | Nennstrom | Maximaler DC-Widerstand | Minimale Betriebstemperatur | Maximale Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| H5200NL |  |
1 MHz to 125 MHz | 350 uH | 1.5 kV | 2 Channel | 8 mA | 650 mOhms | 0 C | + 70 C |
| HX5610NL | |
1 MHz to 125 MHz | 350 uH | 1.5 kV | 1 Channel | 8 mA | 650 mOhms | - 40 C | + 85 C |
| HX6400NLT | |
1 MHz to 125 MHz | 150 uH | 1.5 kV | 4 Channel | 10.3 mA | 650 mOhms | - 40 C | + 85 C |
| H5401NL | |
1 MHz to 125 MHz | 350 uH | 1.5 kV | 4 Channel | 8 mA | 650 mOhms | 0 C | + 70 C |
| HX5401NLT | |
1 MHz to 125 MHz | 350 uH | 1.5 kV | 4 Channel | 8 mA | 650 mOhms | - 40 C | + 85 C |
| H5400NL | |
1 MHz to 125 MHz | 350 uH | 1.5 kV | 4 Channel | 8 mA | 650 mOhms | 0 C | + 70 C |
| HX5610NLT | |
1 MHz to 125 MHz | 350 uH | 1.5 kV | 1 Channel | 8 mA | 650 mOhms | - 40 C | + 85 C |
| H5201NL | |
1 MHz to 125 GHz | 350 uH | 1.5 kV | 2 Channel | 8 mA | 650 mOhms | 0 C | + 70 C |
| H5200NLT | |
1 MHz to 125 MHz | 350 uH | 1.5 kV | 2 Channel | 8 mA | 650 mOhms | 0 C | + 70 C |
| H5201NLT | |
1 MHz to 125 GHz | 350 uH | 1.5 kV | 2 Channel | 8 mA | 650 mOhms | 0 C | + 70 C |
Veröffentlichungsdatum: 2024-04-29
| Aktualisiert: 2024-05-09