Qorvo QPM2101 S-Band-Empfangs-VGA-Module
Qorvo QPM2101 S-Band-Empfangs-VGA-Module sind GaAs-Multichip-Module (MCMs), die für S-Band-Radarapplikationen im 2,5-GHz- bis 4,0-GHz-Bereich ausgelegt sind. Das Bauteil besteht aus einem T/R-Schalter, einem Übertragungspfad (ein verlustarmer Durchgang) und einem Empfangspfad, der aus einem rauscharmen Verstärker, einem digitalen Dämpfer und einem Treiberverstärker besteht. Der Empfangspfad bietet eine Kleinsignal-Gain von 30 dB und einen Rauschfaktor von 1,0 dB. Die Module enthalten einen digitalen 6-Bit-Stufendämpfer (DSA) mit einem Gain-Regelbereich von 31,5 dB. Der QPM2101 liefert eine Leistung von 13,8 dBm bei P1dB mit einer Ausgangs-TOI von 32 dBm. Alle funktionalen MMIC-Blöcke können mit einer internen Steuerschaltung aktiviert oder DC-ausgeschaltet werden. Alle Steuersignale verwenden eine CMOS-kompatible Logikschaltung. Die Anschwingzeit der Signalsteuerung beträgt 43 ns (typisch).Die QPM2101 Chips von Qorvo werden mit dem GaAs-0,25-M-Prozess von Qorvo hergestellt. Das OVM-QFN-Gehäuse zur Oberflächenmontage von 7 mm x 7 mm und ein proprietäres Chip-Anschlussverfahren ermöglichen dem QPM2101 eine gute Leistung bei extremen Umgebungstemperaturen. Eine kompakte Größe unterstützt enge Gitterabstand-Anforderungen für S-Band-Phased-Array-Radarapplikationen.
Merkmale
- 2,5 GHz bis 4,0 GHz Frequenzbereich
- RX-Rauschfaktor: 1,0 dB
- RX-Kleinsignal-Gain: 30 dB
- RX-Ausgangs-TOI: 32 dBm
- TX-Kanal-Einfügungsdämpfung: 1,2 dB
- RX-Leistung bei 1-dB-Kompression: 13,8 dBm
- RX-Dämpfung: 31,5 dB
- Kanal-Schaltzeit: 43 ns
- Kanalisolierung: 35 dB
- RX-Spannung: 3,3 V
- RX-Strom: 163 mA
- Kein Bedarf an negativer Vorspannung
- OVN QFN-Gehäuse, 7,0 mm2 x 0,8 mm Abmessungen
- Bleifrei, halogenfrei, RoHS-konform
Applikationen
- Kommerzielle und militärische Radaranlagen
- Elektronische Kriegsführung
- Kommunikation
Blockdiagramm
Applikations-Schaltplan
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Veröffentlichungsdatum: 2024-01-26
| Aktualisiert: 2024-02-08
