Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)
Der bidirektionale Schalter (BDS) TP65B110HRU von Renesas Electronics ist ein normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse. Dieser BDS leitet Strom und sperrt die Spannung in beide Richtungen, um ein Hochspannungs-Verarmungsmodus-GaN mit normalerweise ausgeschalteten Niederspannungs-Silizium-MOSFETs zu kombinieren. Das TP65B110HRU BDS basiert auf der bidirektionalen SuperGaN®-Gen 1-Plattform. Dieser BDS bietet ein überlegenes Betriebsverhalten, Kompatibilität mit Standard-Gate-Treibern, einfache Integration und robuste Zuverlässigkeit. Der TP65B110HRU BDS bietet eine bahnbrechende Integration, die zu einer reduzierten Bauteilanzahl, geringeren Kosten und einem kleineren Footprint führt. Dieser BDS ermöglicht ultraschnelles Schalten, hohen Wirkungsgrad und höhere Leistungsdichte und ist ideal für den Betrieb im MHz-Bereich und kompakte Magnetik. Typische Applikationen beinhaltet PV-Umrichter,Akkuladegeräte, AI Datacenter und Telecom-Stromversorgung, Motorantriebe und UPS.
Merkmale
- Ultraschnelles Umschalten für hohen Wirkungsgrad und Wandler mit hoher Leistungsdichte
- Geringerer Footprint und niedrigere Kosten im Vergleich zu unidirektionalen Schaltern, die direkt miteinander verbunden sind
- Zuverlässig bei einer Vielzahl von Betriebsbedingungen, darunter AC und DC
- Isolierter GATE mit hohem Schwellenwert
- Eingebaute Freilauf-Diode mit Niederspannungs-Drop
- Vernachlässigbare Sperrverzögerungsladung
- Geringe elektrische Ladung am GATE (Qg) und geringe elektrische Ladung am Ausgang (Qoss)
- Hohe dv/dt-Immunität
- Soft- und Hard-Switching-Fähigkeit
- Fähigkeit zum Einsatz bei transienten Überspannungen
- Beständigkeit gegen Gleichstromvorspannung
- 2 kV ESD-Fähigkeit (HBM und CDM)
- JEDEC-qualifiziert
- RoHS-konform und halogenfreie Verpackung
Applikationen
- PV-Umrichter
- Akkuladegeräte
- Motorantriebe
- Stromversorgung für KI-Rechenzentren und Telekommunikation
- UPS
Technische Daten
- 650Vpk VSS(AC)-Dauerspannung im Aus-Zustand zwischen S1 und S2 (TJ = -55 °C bis 150 °C)
- ±650 V VSS(DC)-Dauerspannung im Aus-Zustand zwischen S1 und S2 (TJ = -55 °C bis 150 °C)
- ±800 V SS(TR)-Transientenspannung im Aus-Zustand zwischen S1 und S2 (< 10="" µs="" ereignisse,="" 60="" s="">
- ±12 V VGS,max-Dauerspannung von Gate zu Quelle
- ±20 V VGS,max (TR)-Transientenspannung von Gate zu Quelle
- 156 WPD maximaler Leistungsverlust bei TC = 25 °C
- Lagertemperatur -55 °C bis +150 °C
- Typische VGS(th) Gate-Schwellenspannung: 3 V
Typische Ausgangseigenschaften
Beispielapplikation (Solar-Mikro-Wechselrichter)
Verwandtes Kit
Renesas Electronics RTDACHB0000RS-MF-1 Evaluierungskit
Unterstützt flexible Experimente mit GaN BDS-Modulation und -Operation.
Veröffentlichungsdatum: 2026-03-16
| Aktualisiert: 2026-03-27