ROHM Semiconductor BM6GD11BFJ-LB Einkanal-Gate-Treiber

Der 1-Kanal-GATE-Treiber BM6GD11BFJ-LB von ROHM Semiconductor mit integrierter Isolierung kann GaN-HEMTs mit hoher Geschwindigkeit antreiben. Dieser GATE -Treiber verfügt über eine_RMS- Isolationsspannung 2.500 V Verzögerungszeit maximale Eingangs-/Ausgangsverzögerungszeit 60 ns und eine minimale Eingangs-Pulsbreite 65 ns. Der BM6GD11BFJ-LB GATE -Treiber besteht aus einer Unterspannungs- SperrFunktion (UVLO) auf der Eingangsseite (zwischen VCC1 und GND1) und der Ausgangsseite (zwischen VCC2 und GND2). Dieser GATE-Treiber ist im SOP-JW8 Paket in den Abmessungen 4,9 mm x 6 mm x 1,65 mm verfügbar. Der BM6GD11BFJ-LB Gate-Treiber wird in Industrieanlagen, GaN-HEMT-Gate-Treibern, AC-Adaptern und Server-Stromversorgungsapplikationen verwendet.