ROHM Semiconductor PDZVTRx Zener-Dioden
Die PDZVTRx Zenerdioden von ROHM Semiconductor sind Dioden mit kleiner Leistung, die sich durch eine epitaktische planare Siliziumstruktur und hohe Zuverlässigkeit auszeichnen. Diese Zener-Dioden bieten eine Verlustleistung von 1.000 mW und eine Sperrschichttemperatur von 150°°C. Die PDZVTRx-Zener-Dioden sind für einen Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C ausgelegt. Diese Zener-Dioden eignen sich hervorragend für den Einsatz in der Spannungsregelung und sind in einem geprägten Bandgehäuse verfügbar.Merkmale
- Planare Silizium-Epitaxiestruktur
- Hohe Zuverlässigkeit
- Kleiner Leistungsformtyp
- Verlustleistung: 1.000 mW
- Sperrschichttemperatur: 150 °C
- Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
Applikationen
- Spannungsregelung
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung |
|---|---|---|
| PDZVTR2.0B | ![]() |
Zener-Dioden Zener Diode 2.0V 1000mW Surface Mount |
| PDZVTR2.2B | ![]() |
Zener-Dioden Zener Diode 2.2V 1000mW Surface Mount |
| PDZVTR2.7B | ![]() |
Zener-Dioden Zener Diode 2.7V 1000mW Surface Mount |
| PDZVTR3.0B | ![]() |
Zener-Dioden Zener Diode 3.0V 1000mW Surface Mount |
| PDZVTR3.3B | ![]() |
Zener-Dioden Zener Diode 3.3V 1000mW Surface Mount |
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-26
| Aktualisiert: 2022-03-11

