ROHM Semiconductor RF7x Fahrzeug-Leistungs-MOSFETs
Die Fahrzeug-Leistungs-MOSFETs der Baureihe RF7x (bestehend aus den Varianten RF7G, RF7L und RF7P) von ROHM Semiconductor sind hochleistungsfähige Siliciumcarbid-Bauteile (SiC), die für anspruchsvolle Applikationen entwickelt wurden. Diese MOSFETs verfügen über eine Nennspannung von 1200 V, wodurch sich die MOSFETs der Baureihe RF7x von ROHM ideal für Hochspannungsumgebungen wie Fahrzeug-Umrichter, Onboard-Ladegeräte und industrielle Stromversorgungssysteme eignen. Der Baureihe RF7G bietet ausgewogene Eigenschaften, die für allgemeine Zwecke geeignet sind, während die Baureihe RF7L für geringe Leitungsverluste optimiert ist und so den Wirkungsgrad in Dauerbetriebsszenarien wie Batteriemanagement und Energiespeicherung verbessert. Die Baureihe RF7P zeichnet sich durch eine schnelle Schaltfähigkeit aus, wodurch sie sich besonders für Applikationen mit schnellen Reaktionsanforderungen wie Telekommunikationsausrüstungen und LED-Beleuchtungen eignet. Zu den wichtigsten Eigenschaften aller Varianten zählen ein niedriger Einschaltwiderstand, schnelle Schaltleistung, hohe Zuverlässigkeit und kompakte Gehäuse, die effiziente und robuste Leistungsumwandlung sowohl im Fahrzeug- als auch im industriellen Bereich möglich machen.Merkmale
- 1200 V Nennspannung
- SiC-MOSFET-Technologie
- Sehr geringer On-Widerstand [RDS(on)]
- Schnelle Schaltleistung
- Anreicherungsmodus
- n- und p-Kanal-Optionen
- Hochzuverlässig
- Kompaktes oberflächenmontiertes DFN2020-8-Gehäuse
- Optimierte elektrische Ladung am Gate
Applikationen
- Universell einsetzbare Typen (RF7Gx)
- Fahrzeug-Umrichter
- Onboard-Ladegeräte (OBC)
- DC/DC-Wandler
- Industrielle Stromversorgungen
- Motorantriebe
- Erneuerbare Energiesysteme
- UPS-Systeme
- EV-Ladestationen
- Schnellschaltender Typ (RF7Px)
- Unterhaltungselektronik
- LED-Beleuchtung
- Niederspannungsstromversorgungen
- Tragbare Geräte
- Applikationen für das Internet der Dinge (IoT)
- Telekommunikationsausstattung
- Verlustarme Ausführung (RF7Lx)
- Fahrzeugelektronik
- Batteriemanagementsysteme
- Antriebssteuerung
- Industrieautomatisierung
- Robotik
- Intelligente Netzinfrastruktur
- Energiespeichersysteme
Technische Daten
- 40-V-, 60-V- und 100-V-Drain-Source-Durchschlagspannung
- 12 AA Dauersenkenstrom
- Drain-Source-Widerstandsbereich von 18,5 mΩ bis 119 mΩ
- 2,5 V oder 4 V Gate-Source-Schwellenspannung
- 23 WW Verlustleistung
- Elektrischer Gate-Ladungsbereich: 6,8 nC zu 15,7 nC
- Minimaler Vorwärts-Transkonduktanzbereich von 2,7 S bis 4 S
- Anstiegszeitbereich von 6 ns bis 13 ns
- Typischer Einschaltverzögerungszeitbereich von 7 ns bis 9 ns
- Abfallzeitbereich von 4,7 ns bis 18 ns
- Typische Abschaltverzögerungszeit im Bereich von 16 ns bis 52 ns
- -55 °C bis +150 °C Betriebstemperaturbereich
Innere Schaltungen
Veröffentlichungsdatum: 2025-10-10
| Aktualisiert: 2025-10-17
