ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL Superschnelle Freilaufdiode
Die RFN10BGE3STL superschnelle Freilaufdiode von ROHM Semiconductor zeichnet sich durch eine planare Silizium-Epitaxie-Bauweise mit hoher Stromüberlastfähigkeit und geringen Schaltverlusten aus. Diese superschnelle Freilaufdiode wird in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C gelagert und bietet eine periodische Spitzensperrspannung von 350 V. Die RFN10BGE3STL-Diode funktioniert bei einem durchschnittlichen gleichgerichteten Durchlassstrom von 10 A, einer maximalen Durchlassspannung von 1,5 V, einem maximalen Sperrstrom von 10 μA und einer Sperrschichttemperatur von 150 °C. Diese Diode ist ideal für den Einsatz in der allgemeinen Gleichrichtung.
Merkmale
- Silizium-Epitaxie-Planarbauweise
- Hohe Stromüberlastbarkeit
- Niedriger Schaltverlust
- Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
- Repetitive Spitzensperrspannung von 350 V
- Durchschnittlicher gleichgerichteter Durchlassstrom von 10 A
- 1,5 V maximale Durchlassspannung
- Maximaler Sperrstrom 10 μA
- Sperrschichttemperatur: 150 °C
Technische Zeichnung
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-23
| Aktualisiert: 2022-03-11