ROHM Semiconductor RFUH25TB3SNZ extrem schnelle Freilaufdiode
Die RFUH25TB3SNZ extrem schnelle Freilaufdiode von ROHM Semiconductor verfügt über einen extrem niedrigen Schaltverlust und eine hohe Stromüberlastkapazität. Diese Freilaufdiode ist als Silizium-Epitaxial-Planarbauweise ausgeführt. Die RFUH25TB3SNZ Freilaufdiode bietet eine periodische Spitzensperrspannung von 350 V, einen Sperrstrom von 10μA und einen nichtperiodischen Durchlass-Stoßstrom von 100 A. Diese Freilaufdiode arbeitet mit einer maximalen Durchlassspannung von 1,45 V und wird im Temperaturbereich von -55°°C bis 150°°C gelagert. Die RFUH25TB3SNZ extrem schnelle Freilaufdiode eignet sich hervorragend für den Einsatz in der allgemeinen Gleichrichtung.
Merkmale
- Ultraniedriger Schaltverlust
- Hohe Stromüberlastbarkeit
- Silizium-Epitaxial-Planarbauweise
- Repetitive Spitzensperrspannung von 350 V
- Sperrstrom: 10 µA
- Nicht-periodischer Durchlassstrom: 100 A
- Maximale Durchlassspannung: 1,45 V
- Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
Applikationen
- Allgemeines Gleichrichten
Technische Zeichnung
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-26
| Aktualisiert: 2022-03-11