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ROHM Semiconductor RH6 n-Kanal Leistungs-MOSFETs

ROHM Semiconductor RH6 N-Kanal-Leistungs-MOSFETs bieten einen niedrigen on-Widerstand in einem kleinen, oberflächenmontierbaren 8-poligen, geformten Gehäuse (HSMT-8). Die RH6 MOSFETs verfügen über eine Verlustleistung von 59 W und einen Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C. Die RH6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind für Schaltapplikationen ausgelegt.

Merkmale

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Einkanal
  • Erweiterungsmodus
  • Si-Technologie
  • Hochleistungsstarkes, kleines, geformtes Gehäuse (HSMT-8)
  • Oberflächenmontage
  • Bleifreie Platinierung
  • Halogenfrei und RoHS-konform

Technische Daten

  • 8-pol.
  • 25 A bis Dauersenkenstrom Bereich 95 A
  • Gate-Quellenspannung von ±20 V
  • 59 WW Verlustleistung
  • 35 ns bis 51 ns Typische Abschaltverzögerungszeit Bereich
  • 15 ns bis 19 ns Typische Einschaltverzögerungszeit Bereich
  • 8 ns bis 17 ns Abfallzeit Bereich
  • 9,5 ns bis 20 ns Anlaufzeit Bereich
  • 3,6 mΩ bis 73 mΩ On-Drain-Source-Widerstandsbereich
  • 16.7nC bis 25 nC GATE Lade-Bereich
  • 60 V bis Drain-Source-Durchschlagspannungs- Bereich 150 V
  • 2,5 V oder 4 V gate-source Schwellenspannungsbereich
  • -55 °C bis +150 °C Betriebstemperaturbereich
Veröffentlichungsdatum: 2023-02-01 | Aktualisiert: 2025-10-10