ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der RH7G03BBJFRA P-Kanal Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor hat eine Drain-Source-Nennspannung (V_DSS) von -40 V und einen Dauersenkennennstrom (I_D, V_GS = -10 V) von ±22 A. Dieser MOSFET ist gemäß AEC-Q101 für Fahrzeuganwendungen zugelassen. Er wird in einem DFN3333T8LSAB-Gehäuse mit benetzbaren Flanken geliefert und ist zu 100 % Avalanche-getestet. Der Leistungs-MOSFET RH7G03BBJFRA von ROHM Semiconductor hat eine Verlustleistung (P_D) von 33 W und einen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS_(on)) von 38 mΩ (typisch) (V_GS = -10 V, I_D = -20 A) oder 49 mΩ (typisch) (VGS = -4,5 V, I_D = -10 A).