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ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Die 60-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs RH7L04 von ROHM Semiconductor sind AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von 60 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±40 A. Diese MOSFETs verfügen über einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)] und sind in einem 3,3 mm x 3,3 mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB)-Gehäuse erhältlich. Die RH7L04 MOSFETs von ROHM Semiconductor eignen sich ideal für Erweiterte Fahrerassistenzsysteme (FAS), Informations-, Beleuchtungs- und Karosserie-Applikationen.

Merkmale

  • Produkt mit benetzbaren Flanken
  • AEC-Q101-qualifiziert
  • 100 % Avalanche-getestet

Applikationen

  • ADAS
  • Informationen
  • Beleuchtung
  • Gehäuse-

Technische Daten

  • Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)]
    • RH7L04BBKFRA
      • 6,4 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID = 20 A)
      • 9,9 mΩ (max.) (VGS = 4,5 V, ID = 10 A)
    • RH7L04CBKFRA
      • 10,6 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID = 20 A)
      • 16,0 mΩ (max.) (VGS = 4,5 V, ID = 10 A)
    • RH7L04CBLFRA
      • 10,6 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID = 20 A)
      • 14,8 mΩ (max.) (VGS = 4,5 V, ID = 10 A)
  • Verlustleistung (PD)
    • RH7L04BBKFRA - 75 W
    • RH7L04CBKFRA - 62 W
    • RH7L04CBLFRA - 64 W
  • Gesamt-Gate-Ladung (Qg)
    • RH7L04BBKFRA
      • 21 nC (typ.) (VDD = 30 V, ID = 10 A, VGS = 10 V)
      • 105 nC (typ.) (VDD = 30 V, ID = 10 A, VGS = 4,5 V)
    • RH7L04CBKFRA
      • 13,6 nC (typ.) (VDD = 30 V, ID = 10 A, VGS = 10 V)
      • 6,6 nC (typ.) (VDD = 30 V, ID = 10 A, VGS = 4,5 V)
    • RH7L04CBLFRA
      • 13,6 nC (typ.) (VDD = 30 V, ID = 10 A, VGS = 10 V)
      • 6,6 nC (typ.) (VDD = 30 V, ID = 10 A, VGS = 6,0 V)
  • Sperrschichttemperatur (Tj): +175 °C

Schaltplan

Schaltplan - ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Gehäusediagramm

Technische Zeichnung - ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-24 | Aktualisiert: 2025-08-19