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ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs RJ1x10BBG von ROHM Semiconductor   sind N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistungsgehäuse. Die Leistungs-MOSFETs RJ1G10BBG und RJ1L10BBG haben ein Drain-Source- Spannung von 40 V und 60 V, einen Dauersenkenstrom von ±280 A und ±240 A und ein Verlustleistung von 192 W. Die Leistungs-MOSFETs RJ1x10BBG sind RoHs-konform. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über eine bleifreie Beschichtung, sind halogenfrei und zu 100 % Rg- und UIS-getestet. Die Leistungs-MOSFETs RJ1x10BBG arbeiten im Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C. Typische Applikationen sind Schalter, Motorantriebe und DC/DC-Wandler.

Merkmale

  • Geringe On-Widerstand
  • Hochleistungspaket (TO263AB)
  • Bleifreie Beschichtung
  • RoHs-konform
  • Halogenfrei
  • 100 % Rg- und UIS-getestet

Technische Daten

  • Drain-Source-Spannung:
    • 40 VDSS (RJ1G10BBG)
    • 60 VDSS (RJ1L10BBG)
  • RDS(ON) (maximal):
    • 1,43 mΩ (RJ1G10BBG)
    • 1,85 mΩ (RJ1L10BBG)
  • Thermischer Widerstand: 0,65 °C/W
  • Gepulster Drainstrom: ±900 A
  • Avalanche-Strom: 70 A
  • Gate-Source-Spannung: ±20 V
  • Betriebstemperaturbereich: -55 °C – 150 °C

Applikationen

  • Schaltvorgang
  • Motorantriebe
  • DC/DC-Wandler
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Teilnummer Datenblatt Abfallzeit Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min. Id - Drain-Gleichstrom Qg - Gate-Ladung Rds On - Drain-Source-Widerstand Anstiegszeit Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur
RJ1G10BBGTL1 RJ1G10BBGTL1 Datenblatt 340 ns 70 S 280 A 210 nC 1.43 mOhms 64 ns 40 V - 55 C + 150 C
RJ1L10BBGTL1 RJ1L10BBGTL1 Datenblatt 140 ns 64 S 240 A 160 nC 1.85 mOhms 31 ns 60 V - 55 C + 150 C
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-29 | Aktualisiert: 2025-08-21