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ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Das 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET RQ3G120BKFRA von ROHM Semiconductor ist ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von 40 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±12 A, das nach AEC-Q101 zugelassen ist. Der Einschaltwiderstand [RDS(ON)] beträgt 17,4 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID = 12 A) und das Bauteil ist in einem 3,3 mm x 3,3 mm HSMT8AG-Gehäuse erhältlich. Der RQ3G120BKFRA MOSFET von ROHM Semiconductor ist ideal für erweiterte Fahrerassistenzsysteme (FAS), Informations-, Beleuchtungs- und Karosserie-Applikationen.

Merkmale

  • Das kleine Hochleistungs-Gehäuse reduziert die Montagefläche um maximal 64 %
  • AEC-Q101-qualifiziert
  • Realisierung einer hohen Montageverlässigkeit durch originale Anschluss- und Beschichtungsbehandlung

Applikationen

  • ADAS
  • Informationen
  • Beleuchtung
  • Gehäuse-

Technische Daten

  • Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)]
    • 17,4 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID = 12 A)
    • 28,0m Ω (max.) (VGS = 4,5 V, ID = 6 A)
  • Verlustleistung (PD): 40 W
  • Gesamt-Gate-Ladung (Qg)
    • 8,5 nC (typ.) (VDD = 20 V, ID = 10 A, VGS = 10 V)
    • 4,8 nC (typ.) (VDD = 20 V, ID = 10 A, VGS = 4,5V)
  • Sperrschichttemperatur (Tj): +150 °C

Schaltplan

Schaltplan - ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Gehäusediagramm

Technische Zeichnung - ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-25 | Aktualisiert: 2025-08-19