ROHM Semiconductor RS7 Leistungs-MOSFETs
Die Leistungs-MOSFETs der Baureihe RS7 von ROHM Semiconductor sind für hocheffiziente Leistung in Motorantrieben, Schaltanwendungen und DC/DC-Wandlern ausgelegt. Diese MOSFETs der Baureihe RS7 von ROHM Semiconductor zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand, das robuste Hochleistungsgehäuse DFN5060T8LSHAAE und eine bleifreie Beschichtung aus, außerdem sind sie RoHS-konform und halogenfrei. Jedes Gerät wird zu 100 % Rg- und UIS-Tests unterzogen, um höchste Zuverlässigkeit und Leistung zu gewährleisten.
Merkmale
- Niedriger On-Widerstand
- Hochleistungsgehäuse
- Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet
Applikationen
- Schalten
- Motorantriebe
- DC/DC-Wandler
Technische Daten
- 2,5 V oder 4 V Gate-Source-Schwellenspannung
- 49 nC bis 145 nC Gate-Ladungsbereich
- 0,64 mΩ bis 8,3 mΩ maximaler Drain-Source-On-Widerstand [RDS(on)]
- ±20 V Gate-Source-Spannung
- 160 W bis 217 W Verlustleistungsbereich (PD)
- 150 A bis 445 A Dauersenkenstrombereich (ID)
- -55 °C bis +150 °C/+175 °C Betriebstemperaturbereiche
Gehäuseabmessungen
Innenschaltung
Veröffentlichungsdatum: 2025-01-09
| Aktualisiert: 2025-11-21