ROHM Semiconductor RV4E031RP HZG Kleinsignal-MOSFET
Der RV4E031RP HZG Kleinsignal-MOSFET von ROHM Semiconductor verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand, ein kleines Hochleistungsgehäuse und einen Niederspannungantrieb. Dieser MOSFET ist zu 100 % UIS-geprüft und verfügt über eine benetzbare Flanke für die automatische optische Lötkontrolle (AOI). Der RV4E031RP HZG-Signal-MOSFET arbeitet im Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und im Lagertemperaturbereich. Dieser MOSFET bietet eine Drain-Source-Spannung von -30 V, einen Drain-Dauerstrom von ±3,1 A und eine Verlustleistung von 1,5 W. Typische Applikationen sind Schaltkreise, High-Side-Lastschalter und Hochgeschwindigkeitsleitungstreiber.
Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines Gehäuse mit hoher Leistung
- Niederspannungsantrieb: -4 V
- 100 % UIS-getestet
- Benetzbare Flanke für die automatische optische Lötkontrolle (AOI)
- 130 μm garantiertes Elektrodenteil
Technische Daten
- Sperrschichttemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
- Drain-Source-Spannung: -30 V
- Kontinuierlicher Drainstrom: ±3,1 A
- Verlustleistung: 1,5 W
- Gepulster Drainstrom: ±12 A
Applikationen
- Schaltkreise
- High-Side-Lastschalter
- Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Schaltplan
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-26
| Aktualisiert: 2022-03-11