ROHM Semiconductor RxP120BLFRA Leistungs-MOSFETs
ROHM Semiconductor RxP120BLFRA Leistungs-MOSFETs sind MOSFETs in Fahrzeugqualität, die nach AEC-Q101 zugelassen sind. Die Bauteile liefern eine Drain-Source-Durchschlagspannung von 100 V, einen statischen Einschaltwiderstand von 62 mΩ und einen Dauersenkenstrom von ±12 A. Die Leistungs-MOSFETs ROHM RxP120BLFRA sind ideal für Fahrzeuganwendungen, einschließlich FAS, Infotainment, Beleuchtung und Karosserie.
Merkmale
- AEC-Q101-qualifiziert
- Niedriger On-Widerstand
- Kleines Hochleistungs-Formgehäuse
- Bleifreie Beschichtung
- RoHS-konform
- Halogenfrei
- Benetzbare Flanke
Applikationen
- FAS
- Infotainment
- Beleuchtung
- Gehäuse-
Technische Daten
- Drain-Source-Durchschlagspannung: 100 V
- Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand: 62 mΩ
- Verlustleistung von 40 W (RQ3P120BLFRA) und 23 W (RF9P120BLFRA)
- ±12 AA Dauersenkenstrom
- DFN2020 (RF9P120BLFRA) und HSMT8AG (RQ3P120BLFRA) Gehäusen
Weitere Ressourcen
Applikationsschaltungen
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-14
| Aktualisiert: 2025-07-22