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ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

Der 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET SCT2H12NWB von ROHM Semiconductor ist ein Gerät, das mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewertet ist. Der Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)] für das Gerät beträgt 1,15 mΩ (typ.) (VGS = 18 V, ID = 1,1 A, Tvj = +25 °C). Es wird in einem 15,5 mm x 10,2 mm TO-263CA (TSMT3)-Gehäuse geliefert. Dieses Gerät bietet eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, eine weite Kriechstrecke und ist einfach zu steuern. Der SCT2H12NWB MOSFET von ROHM Semiconductor ist ideal für Hilfs- und Schaltnetzteilapplikationen.

Merkmale

  • Niedriger On-Widerstand (RDS(ON))
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Weite Kriechstrecke von 6,1 mm
  • Einfacher Antrieb
  • Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Applikationen

  • Hilfsstromversorgungen
  • Schaltnetzteile

Technische Daten

  • Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)]
    • 1,15 mΩ (typ.)/1,50 mΩ (max.) (VGS = 18 V, ID = 1,1 A, Tvj = +25 °C)
    • 1,71 mΩ (typ.) (VGS = 18 V, ID = 1,1 A, Tvj = +125 °C)
  • Verlustleistung (PD): 39 W
  • Typische Gate-Gesamtladung: 24 nC (Qg) (VDD = 800 V, ID = 2 A, VGS = 18 V)
  • Sperrschichttemperatur: +175 °C (Tvj)

Schaltplan

Schaltplan - ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

Gehäusediagramm

Technische Zeichnung - ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-25 | Aktualisiert: 2025-08-21