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ROHM Semiconductor SCT4062KWAHR AEC-Q101 N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

ROHM Semiconductor  SCT4062KWAHR AEC-Q101 Der N-Kanal- Siliciumcarbid -Leistungs-MOSFET (SiC) ist ein leistungsstarkes Bauelement in Automobilqualität für den Einsatz in anspruchsvollen Automobilumgebungen. Der ROHM SCT4062KWAHR verfügt über einen hohen Drain-Source Nennspannung von 1.200 V und einen Dauersenkenstrom von 24 A (bei +25°°C), wodurch sich der MOSFET gut für Hochspannungs- und Hocheffizienz Leistungsumwandlung Systeme eignet. Mit einem typischen On-Widerstand von 62 mΩ minimiert der SCT4062KWAHR die Leitungsverluste und unterstützt ein schnelles Schalten, was zu geringeren Leistungsverlusten und verbesserten thermischen Eigenschaften beiträgt. Das im TO-263-7LA Format verpackte Bauelement bietet eine hervorragende Dissipation und lässt sich problemlos in kompakte Leistungsmodule integrieren. SCT4062KWAHR ist ideal für Applikationen in Elektrofahrzeugen (EV) wie Umrichter BordLadegeräte und DC/DC Wandler bei denen Zuverlässigkeit Wirkungsgrad und thermische Stabilität entscheidend sind.

Merkmale

  • AEC-Q101-qualifiziert
  • Niedriger On-Widerstand
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Schnelle Sperrverzögerung
  • Kann einfach parallelgeschaltet werden
  • Einfacher Antrieb
  • TO-263-7LA-Gehäuse
  • Große Kriechstrecke von 4,7 mm (Minimum)
  • Bleifreie Elektrodenbeschichtung
  • RoH-konform

Applikationen

  • Automobil
  • Schalter Modus Stromversorgung

Technische Daten

  • 1.200 V maximale Drain-Source-Spannung
  • Maximaler kontinuierlicher Drain-/Quelle -Strom
    • 24 A at +25 °C
    • 17 A at +100 °C
  • 80 μA maximale Null- GATE- Spannung Drainstrom
  • 52 A maximaler gepulster Drainstrom
  • Body-Diode
    • Maximaler Durchlassstrom
      • 24 A gepulst
      • 52 A Stoß
    • Typische Durchlassspannung 3,3 V
    • Typische Sperrverzögerung 8,1 ns
    • Sperrverzögerungsladung 105 nC
    • 26 A typischer SpitzenSperrverzögerungsstrom
  • -4 V bis 21 V maximaler DC-Gate-Source-Spannungsbereich
  • -4 V bis 23 V maximaler Bereich der Stoßspannung zwischen Gate und Source
  • Maximal empfohlene Gate-Source- TreiberSpannung
    • 15 V bis 18 V maximaler Einschaltbereich
    • Ausschaltspannung: 0 V
  • Ableitstrom zwischen Gate und Source: ±100 nA
  • Schwellenspannungsbereich GATE 2,8 V bis 4,8 V
  • Statischer Einschaltwiderstand Drain-Source
    • 81 mΩ maximal bei +25 °C
    • 62 mΩ typisch
  • 4 Ω typischer Eingangswiderstand am GATE
  • 1.6K/W Verbindung zum Fall thermischer Widerstand
  • 6,5 S typische Transkonduktanz
  • Typische Kapazität
    • 1.498 pF Eingang
    • 45 pF Ausgang
    • 3 pF Rückübertragung
    • 54 pF effektiver Ausgang, energiebezogen
  • Typischer GATE
    • 64 nC insgesamt
    • 14nC Quelle elektrische Ladung
    • 17nC Drain elektrische Ladung
  • Typische Zeit
    • Einschaltverzögerung von 4,4 ns
    • 11 ns
    • Ausschaltdauer von 22 ns
    • Abfallzeit von 10 ns
  • Typische Schaltverluste
    • Einschaltverlust: 132 μJ
    • Ausschalverlust: 6 μJ
  • Maximale virtuelle Sperrschichttemperatur: +175 °C

Innerhalb der Schaltung

Schaltungsanordnung - ROHM Semiconductor SCT4062KWAHR AEC-Q101 N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

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Veröffentlichungsdatum: 2025-06-13 | Aktualisiert: 2025-06-19