ROHM Semiconductor UT6J Pch Leistungs-MOSFETs
Die Leistungs-MOSFETs UT6J Pch von ROHM Semiconductor zeichnen sich durch einen niedrigen On-Widerstand aus und sind in einem leistungsstarken Small-Mold-Gehäuse untergebracht. Der ROHM bietet ein breites Spannungsangebot von Kleinsignalprodukten bis zu 800-V-Hochspannungsprodukten. Sie können für verschiedene Applikationen wie Stromversorgungen und Motorantriebsschaltungen verwendet werden.Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines Gehäuse zur Oberflächenmontage
- Bleifreie Beschichtung; RoHs-konform
- Halogenfrei
Applikationen
- Schaltung
Produktangebot
Marktanwendungen
Verbesserter On-Widerstand
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung | Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung | Id - Drain-Gleichstrom | Rds On - Drain-Source-Widerstand |
|---|---|---|---|---|---|
| UT6K3TCR1 | ![]() |
MOSFETs DFN2020 2NCH 30V 5.5A | 30 V | 5.5 A | 42 mOhms |
| UT6J3TCR1 | ![]() |
MOSFETs DFN2020 2PCH 20V 3A | 20 V | 2 A | 85 mOhms |
| UT6JB5TCR | ![]() |
MOSFETs DFN2020 2PCH 40V 3.5A | 40 V | 3.5 A | 122 mOhms |
| UT6KE5TCR | ![]() |
MOSFETs 100V 2.0A Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET | 100 V | 2 A | 207 mOhms |
| UT6JC5TCR | ![]() |
MOSFETs -60V Dual Pch+Pch, DFN2020, Power MOSFET | 60 V | 2.5 A | 280 mOhms |
Veröffentlichungsdatum: 2021-01-26
| Aktualisiert: 2023-09-07

