ROHM Semiconductor YQ30NL10SDFH Schottky-Barriere-Diode
Die YQ30NL10SDFH Schottky-Barriere-Diode von ROHM Semiconductor ist ein Bauelement mit hoher Zuverlässigkeit, das mit einem Aufbau des Typs Power Mold ausgelegt ist. Der YQ30NL10SDFH von ROHM Semiconductor verfügt über eine niedrige VF (Durchlassspannung) und niedrige IR (Sperrstrom)-Eigenschaften, um eine effiziente Leistung zu gewährleisten. Mit niedriger Kapazität und einer Trench-MOS-Struktur eignet sich das Bauteil hervorragend in verschiedenen Applikationen, einschließlich Schaltnetzteile, Freilaufdioden und Verpolungsschutz. Die absoluten maximalen Nennwerte, die bei TC= 25 °C spezifiziert sind, zeigen das robuste Design für einen zuverlässigen Betrieb in verschiedenen elektronischen Systemen.
Merkmale
- Hochzuverlässig
- Typ Power Mold
- Niedrige VF und niedrige IR
- Niedrige Kapazität
- Trench-MOS-Struktur
- Absolute maximale Nennleistung (TC= 25 °C, sofern nicht anders angegeben)
Applikationen
- Schaltnetzteile
- Freilaufdioden
- Umpolungsschutz
Innere Schaltung
Veröffentlichungsdatum: 2024-01-19
| Aktualisiert: 2024-01-24