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Texas Instruments INA151 Präzisions-Differenzverstärker

INA151 Präzisions-Differenzverstärker von Texas Instruments  sind mit einem Eingangs-Gleichtaktspannungsbereich von bis zu 110 V über der negativen Versorgungsspannung (empfohlen) erhältlich. Diese Verstärker zeichnen sich durch  ein minimales hohes Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von 125 dB, eine Gleichtakt-Eingangsimpedanz von > 1,4 Ω und eine Offsetspannungs-Drift von 0,6 μV/ºC bei 1 V/V Gain aus. Die INA151 Präzisions-Differenzverstärker sind mit Gains von 1 V/V (INA151A), 2/3 V/V (INA151B), 1/2 V/V (INA151C) und 1/4 V/V (INA151D) erhältlich. Diese Verstärker verfügen über einen Aktivierungs-/Deaktivierungs-Pin (EN), der einen Ausgang mit hoher Impedanz bereitstellt, so dass mehrere INA151s an den Ausgängen gestapelt werden können. Die INA151 Präzisions-Differenzverstärker sind in einem Standard-8-Pin-Gehäuse und einem spezifizierten Temperaturbereich von -40 °C bis 125 °C erhältlich. Typische Applikationen sind analoge Eingangsmodule, gemischte Module (AI, AO, DI und DO), präzise Multifunktions-Eingangs-Ausgangs-DAQ, Batteriezellenformatierung und Testausrüstung.

Merkmale

  • Breite Spannungsbereiche:
    • 4,3 V und 110 V Betriebs-Gleichtaktspannung
    • Bis hinunter zu -85 V Verpolungsschutzspannung
    • Bis zu ±5 V Differential-Eingangsspannung
  • Hohe Präzision in Systemen mit hoher Gleichtaktspannung:
    • 125 dB (minimal) für G = 1 V/V, 2/3 V/V CMRR
    • 2 ppm/ °C (maximal) Gain-Fehler-Drift
    • ±0,025 % (maximal) für G = 1 V/V, 2/3 V/V 1/2 V/V Gain-Fehler
    • ±0,6 μV/ºC (maximal) für G = 1 V/V Offsetspannungs-Drift
    • ±900 μV (maximal) für G = 1 V/V Offsetspannung
  • Vier Gain-Varianten:
    • A: G = 1 V/V
    • B: G = 2/3 V/V
    • C: G = 1/2 V/V
    • D: G = 1/4 V/V
  • Sehr hohe Eingangsimpedanz (mindestens 1 MΩ)
  • Aktivierungs-/Deaktivierungsfunktion: Hi-Z-Ausgang während der Deaktivierung
  • 620 kHz (typisch) für G = 1 V/V Bandbreite
  • Leistungsversorgungsbereich:
    • 2,7 V (±1,35 V) bis 20 V (±10 V) Versorgungsspannungsbereich
    • 430 µA (IQ(VS+) typisch) und -460 μA ((IQ(VS-) typisch) niedriger Ruhestrom bei Aktivierung
  • -40 °C bis 125 °C spezifizierter Temperaturbereich

Applikationen

  • Batteriezellenformatierung und Testausrüstung
  • Analogeingangsmodul
  • Gemischtes Modul (AI, AO, DI und DO)
  • Präzisions-Multifunktions-Eingangs-Ausgangs-DAQ

Blockdiagramm

Blockdiagramm - Texas Instruments INA151 Präzisions-Differenzverstärker

Applikationsschaltplan von INA151B

Schaltplan - Texas Instruments INA151 Präzisions-Differenzverstärker
Veröffentlichungsdatum: 2026-05-11 | Aktualisiert: 2026-05-18