STMicroelectronics EVLSTDRIVEG212 Evaluierungsboard
Das Evaluierungsboard EVLSTDRIVEG212 von STMicroelectronics ist einfach zu nutzen, außerdem ist es schnell und geeignet für die Evaluierung der Eigenschaften des Bauteils STDRIVEG212, der zwei emode-GaN-Schalter mit 2,2 mΩ (typ.) und 100 V in einer Halbbrückenkonfiguration ansteuert. Das Bauteil STDRIVEG212 ist ein Hochgeschwindigkeits-Halbbrücken-Gate-Treiber mit 220 V, der für den Betrieb von Enhanced-Mode-GaN-HEMTs mit 5 V optimiert ist. Es verfügt über getrennte Hochstrom-Sink-/Source-Gate-Ansteuerungs-Pins, integrierte LDOs, Unterspannung, Bootstrap-Diode, High-Side-Schnellstart, Übertemperatur, Fehler-/Abschalt-Pins und Standby, um Hard-Switching-Topologien in einem 4 mm x 5 mm großen QFN-Gehäuse vollständig zu unterstützen. Das Board EVLSTDRIVEG212 eignet sich auch zur Evaluierung der Funktionen des Bauteils STDRIVEG612.
Es verfügt über einen integrierten programmierbaren Totzeitgenerator und einen linearen 3,3-V-Spannungsregler zur Versorgung externer Logikbausteine wie Mikrocontroller. Außerdem bietet das Bauteil freie Anschlussflächen, um eine Anpassung des Boards an die endgültige Anwendung zu ermöglichen, z. B. separate LIN- und HIN-Eingangssignale oder ein einzelnes PWM-Signal. Das Bauteil EVLSTDRIVEG212 von STMicroelectronics hat eine Größe von 56 mm x 79 mm, besteht aus vier Schichten, wiegt ca. 28 g und ist auf einem FR-4-PCB montiert. Damit erreicht es in ruhender Luft ohne Kühlkörper einen Gesamtwert von 19 °C/W Rth(J-A) (entspricht 38 °C/W für jedes GaN) und eignet sich für die Evaluierung von Hochleistungsanwendungen.
Merkmale
- Halbbrücken-Topologie mit dem GaN-Gate-Treiber STDRIVEG212 mit integrierten LDOs, getrennter Senke/Quelle, integrierter Bootstrap-Diode und Standby-Modus
- Ausgestattet mit e-Mode-GaN-HEMT mit 2,2 mΩ typ., 100 V
- Einstellbare Hard-On/-Off-dV/dt
- Versorgungsspannung VCC: 10,3 V – 18 V (12 V typ.)
- Separate Eingänge mit externer Totzeit können ebenfalls verwendet werden
- Integrierter einstellbarer Totzeitgenerator zur Umwandlung eines einzelnen PWM-Signals in unabhängige High-/Low-Side-Eingänge mit Totzeit
- Externe Bootstrap-Diode zur Erzielung einer minimalen High-Side-Startzeit
- Integrierter 3,3-V-Regler für die Versorgung externer Schaltungen
- RoHS-konform
Applikationen
- AC/DC-, DC/DC- und Resonanzwandler, Synchrongleichrichter, Batterieladegeräte und Netzteile, LED-Beleuchtung und USB Type-C®
- Treiber für Haushaltsgeräte, Pumpen, Servos und industrielle Laufwerke
- E-Bikes, Elektrowerkzeuge, Roboter und Drohnen
- Klasse-D-Audioverstärker und Multilevel-Umrichter
- Solar-Mikroumrichter, Optimierer und MPPT
Weitere Ressourcen
Versorgungs- und Signalanschluss
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