STMicroelectronics EVLSTGAP3S3S Halbbrücken-Evaluierungsboard
Das Halbrücken-Evaluierungsboard EVLSTGAP3S3S von STMicroelectronics dient zur Evaluierung des STGAP3S3S, eines isolierten Single-Gate-Treibers. Der STGAP3S3S bietet eine Strombelastbarkeit von 3 A, Rail-to-Rail-Ausgänge sowie für SiC-MOSFETs optimierte UVLO- und DESAT-Schutzschwellenwerte. Dank dieser Eigenschaften eignet er sich ideal für Hochleistungs-Motortreiber in Industrieapplikationen. Der Gate-Treiber verfügt über eine integrierte Miller-CLAMP und einen einzelnen Ausgangspin, wodurch die Unterdrückung positiver und negativer Gate-Spitzen bei schnellen Kommutierungen in Halbbrücken-Topologien optimiert wird.
Der 5-V-VAUX-Anschluss versorgt das Board und speist die isolierten DC/DC-Wandler für die Low-Side- und High-Side-Ansteuerungsabschnitte. Bei Verwendung einer 5-V-MCU versorgt AUX die Gate-Treiber direkt mit Strom. Bei Verwendung einer 3,3-V-MCU greift das System stattdessen auf den integrierten linearen Spannungsregler zurück. Spezielle Anschlüsse steuern die PWM- und Reset-Eingänge, während eine integrierte LED die Diagnostikausgänge anzeigt.
Das empfohlene Board-Netzwerk verbindet die Geräteschutzfunktionen (Entsättigung, Sanftabschaltung und Miller-Klemme) miteinander, sodass der Benutzer diese an den Testpunkten des Boards einfach überprüfen kann. Zwei Eingangspins ermöglichen eine hardwarebasierte Verriegelungssicherung und die Auswahl der Signalpolarität, um eine Querleitung im Falle einer Fehlfunktion des Controllers zu verhindern. Das Gerät unterstützt die Ansteuerung mit negativem Gate-Spannungsniveau, und die integrierten, galvanisch getrennten DC/DC-Wandler ermöglichen optimierte Ansteuerungsspannungen für SiC-MOSFETs.
Das Board EVLSTGAP3S3S von STMicroelectronics ermöglicht die Evaluierung aller Funktionen des STGAP3S3S bei einer Busspannung von bis zu 1200 V.
Merkmale
- STGAP3S3S Gerät
- Source/Sink-Strombelastbarkeit bei 25 °C: 3 A
- Eingangs-Ausgangs-Laufzeitverzögerung: 75 ns
- Interne Miller-Klemme
- UVLO-Funktion
- Entsättigungsschutz
- Einstellbare Sanftabschaltung
- Gate-Ansteuerspannung: bis zu 32 V
- Negative Gate-Treiberspannung
- 3,3 V, 5 V TTL/CMOS-Eingänge mit Hysterese
- Übertemperaturschutz
- Erhöhte galvanische Isolierung
- Isolationsspannung VISO = 5,7 kVRMS (UL 1577)
- Transiente Überspannung VIOTM = 8 kVPEAK (IEC 60747-17)
- Max. wiederholbare Isolationsspannung VIORM = 1,2 kVPEAK (IEC 60747-17)
- Platine
- Halbbrückenkonfiguration
- Hochspannungsschiene: bis zu 1200 V (begrenzt durch die Nennleistung der SiC-MOSFETs und Kondensatoren)
- SCT10N120AG SiCs: 1200 V 12 A
- Kompatibel mit 5-V- und 3,3-V-MCUs
- Die VDD der Logikschaltung wird über die intern erzeugte 3,3-V-Spannung oder über VAUX = 5 V versorgt
- Integrierte isolierte DC/DC-Wandler zur Versorgung von High-Side- und Low-Side-Gate-Treibern, gespeist über VAUX = 5 V, mit einer maximalen Isolationsspannung von 5,4 kVpk
- Einfache Auswahl der Ansteuerungsspannungskonfiguration über Jumper: +15 V/0 V; +15 V/-4,7 V; +12 V/0 V; +12 V/-4,7 V
- LED-Fehleranzeigen
- Maximale Betriebsspannung über der Isolierung: 1200 V
- RoHS-konform
Applikationen
- Motortreiber für Haushaltsgeräte, Fabrikautomatisierung, Industrieantriebe und Lüfter
- 600-V-/1.200-V-Wechselrichter
- Akkuladegeräte
- Induktionserwärmung
- Schweißen
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
- Netzgeräte
- DC/DC-Wandler
- Blindleistungskompensation
Zugehöriger einzelner Gate-Treiber
STMicroelectronics STGAP3S 6A/10A-Einzel-Gate-Treiber
Galvanische Isolierung zwischen dem GATE -Ansteuerkanal und Niederspannungs -Steuer-/Schnittstellenschaltung.