STMicroelectronics GANSPIN612 Halbbrücken-GaN-Motortreiber

Der Halbbrücken-GaN-Motortreiber GANSPIN612 von STMicroelectronics ist ein fortschrittliches Power-System-in-Package (SiP), das zwei GaN-Transistoren im Enhancement-Modus in einer Halbbrückenkonfiguration integriert, die von einem hochmodernen Hochspannungs-Hochfrequenz-Gate-Treiber angesteuert werden. Die integrierten Leistungs-GaN weisen einen RDS(ON) von 270 mΩ und eine Drain-Source-Durchschlagspannung von 650 V auf, während die integrierte Bootstrap-Diode die High-Side des embedded Gate-Treibers problemlos versorgen kann.

Das Bauteil GANSPIN612 wurde für die Bewegungssteuerung entwickelt und optimiert den Ausgangs-dV/dt-Wert auf 10 V/ns (typ.) sowohl beim harten Ein- als auch beim harten Ausschalten. Diese Funktion ist in der Motorsteuerung für die EMI-Unterdrückung sowie zur Gewährleistung einer zuverlässigen Motorwicklung und eines zuverlässigen Kugellagers erforderlich. Das Bauteil GANSPIN612 ist in einem kompakten QFN-Gehäuse mit den Abmessungen 9 mm × 9 mm × 1 mm erhältlich und kann im industriellen Temperaturbereich von -40 °C bis +125  C betrieben werden.

Der GaNSPIN612 von STMicroelectronics ist Pin-kompatibel mit dem GaNSPIN611 [RDS(ON) von 138 mΩ], um die Skalierbarkeit im Rahmen eines Plattformansatzes zu maximieren.

Merkmale

  • Die Produktfamilie Power SiP, die Hochspannungs-GaN-Transistoren in einer Halbbrückenkonfiguration mit einem Hochspannungs-Gate-Treiber integriert
    • RDS(ON) = 270 mΩ
    • IDS(MAX) = 5,5 A
  • Umgekehrte Leitungsverlust-Fähigkeit und Nullverlust-Sperrverzögerung
  • 10 V/ns (typisch) Ausgang dV/dt sowohl im Hard-On- als auch im Hard-Off-Modus, angepasst an die Motorsteuerung
  • Linearregler zur Regelung der Versorgungsspannung des High-Side- und Low-Side-Treibers.
  • Externe einstellbare Einschalt-dV/dt
  • Interne Bootstrap-Diode
  • Komparator zur Überstromerkennung mit intelligenter Abschaltfunktion
  • UVLO-Schutz an VCC, VHS und VLS
  • Verriegelungsfunktion, Abschaltung, Standby und Fehler-Pins
  • 55 ns Gate-Treiber was zu einer Ausgangs-Laufzeitverzögerung von 150 ns (typisch) führt
  • Eingänge, die mit Hysterese und Pull-Down von 3,3 V bis 20 V kompatibel sind

Applikationen

  • Haushaltsgeräte
  • Kompressoren
  • Pumpen
  • Lüfter
  • Haushaltsgeräte
  • Fabrikautomatisierung
  • Laufwerke
  • Elektrowerkzeuge

Applikations-Schaltplan

Schaltplan - STMicroelectronics GANSPIN612 Halbbrücken-GaN-Motortreiber

Blockdiagramm

Blockdiagramm - STMicroelectronics GANSPIN612 Halbbrücken-GaN-Motortreiber
Veröffentlichungsdatum: 2026-03-11 | Aktualisiert: 2026-04-10