STMicroelectronics SMC30J Transiente Spannungsunterdrückungsdioden

Die SMC30J TVS-Dioden (Transientenspannungs-Unterdrückungsdioden) von STMicroelectronics sind zum Schutz von empfindlichen Geräten gegen elektrostatische Entladungen gemäß IEC 61000-4-2, MIL-STD 883 Methode 3015 und elektrischen Überlastungen, wie z. B. IEC 61000-4-4 und 5 ausgelegt. Die SMC30J TVS-Dioden werden für Überspannungen unter 3.000 W 10/1000μs verwendet. Aufgrund der Planartechnologie eignen sie sich für high-end-Ausrüstungen und SNTs, bei denen ein niedriger Ableitstrom und eine hohe Sperrschichttemperatur erforderlich sind, um im Laufe der Zeit Zuverlässigkeit und Stabilität zu bieten.

Die SMC30J TVS-Dioden von STMicroelectronics sind in einem DO-214AB-2-Gehäuse untergebracht und haben einen Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C.

Merkmale

Spitzenimpulsleistung
- 3.000 W (10/1.000 μs)
- Bis zu 40 kW (8/20 μs)
Spannungsbereich im AUS-Zustand von 5 V bis 188 V
Unidirektionale und bidirektionale Ausführungen
Geringer Leckstrom von 0,2 µA bei 25 °C
Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 175 °C
Harz erfüllt UL94, V0
Leitungsvergütung; Mattverzinnung
DO-214AB-2-Gehäuse

MSL Stufe 1 gemäß J-STD-020
J-STD-002, JESD 22-B102 E3 und MIL-STD-750, Methode 2026
IPC7531 Footprint und JEDEC-registrierte Gehäuseabmessungen
IEC 61000-4-4 Stufe 4
- -4 kV
IEC 61000-4-2, C = 150 pF, R = 330Ω übertrifft Stufe 4
- -30 kV (Luftentladung)
- -30 kV (Kontaktentladung)